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[参考译文] UCC21520-Q1:PSFB 拓扑中并联 MOSFET 的栅极驱动策略

Guru**** 2466550 points
Other Parts Discussed in Thread: UCC21520-Q1, CSD19536KTT

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1551901/ucc21520-q1-gate-drive-strategy-for-paralleled-mosfets-in-psfb-topology

器件型号:UCC21520-Q1
主题: CSD19536KTT 中讨论的其他器件

工具/软件:

尊敬的 TI:

我们考虑在 PSFB 输入侧并联输入 MOSFET 以增加电流容量、我们将使用 UCC21520-Q1 作为驱动器。

 

在方框图中、对于位置 Q1、Q2、Q3 和 Q4、 我们计划在每个位置并联四个 CSD19536KTT MOSFET。 我们应该并联位置 Q1 中四个 MOSFET 的栅极、并使用单个 UCC21520-Q1 驱动它们、还是应该为每个 MOSFET 使用单独的栅极驱动器?

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Umit:

    由于您计划在系统中使用 UCC21520-Q1 驱动 4 个 MOSFET、因此需要使用 2 个栅极驱动器、这样您就能够单独控制每个单独 MOSFET 的栅极。 在系统中使用两个 UCC21520-Q1 时、我建议使用其中一个来驱动 Q1 和 Q4、然后使用另一个来驱动 Q2 和 Q3。

    此致、

    Will

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    在本例中、对于位置 Q1、我们打算并联四个 MOSFET 以提高电流处理能力。 我们可以通过 UCC21520-Q1 的单个通道驱动所有四个 MOSFET 的栅极、或者您有何建议? 此致...

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    尊敬的 Umit:

    您肯定能够通过 UCC21520-Q1 的一个输出通道控制多个并联 MOSFET。 不过、在以这种方式设计系统时、有一些注意事项。 请随时阅读 这篇应用简报、其中提供了有关并联 MOSFET 时最佳实践的非常有用的信息。

    此致、

    Will