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[参考译文] LMG3522R030：LMG3522R030：更低 Coss 顶部冷却的集成 GANFET 设计和开发计划

admin
Guru**** 2466550 points
Other Parts Discussed in Thread: LMG3522R050, LMG3522R030

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1552456/lmg3522r030-lmg3522r030-lower-coss-top-cooled-integrated-ganfets-design-and-development-plan

器件型号：LMG3522R030
Thread 中讨论的其他器件：LMG3522R050、

工具/软件：

尊敬的团队：

零件号： LMG3522R030、LMG3522R050  

目前、我们使用上述集成式 GaN FET。 但我们需要具有顶部冷却应用的更低 Coss 集成 GANFET。

是否提供任何低 Coss 顶部冷却的集成 GANFET？

或者是否正在进行低 Coss GANFET 的任何新开发？ 如果正在进行新的开发,我们可以期待现有的一个优化的大小。

请做必要的事情。

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    TI__Guru**** 2466550 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Antony、

    我们只有用于顶部冷却的 LMG352x、低 Coss 型号是具有较高 RDS、ON 的 LMG3522R050。 我们还提供其他较低的 Coss 和较高的 RDS,ON 选项,但遗憾的是,它们都是底部冷却,因为这主要是低功耗应用的常用选项。

    此致、

    Pratik A.

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    TI__Guru**** 2466550 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Pratik：

    是否在采用同一封装进行低 Coss GANFET 的任何新开发？ 如果正在进行新的开发,我们可以期待现有的尺寸优化吗?

    此致、

    Antony Yagappan L

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    TI__Guru**** 2466550 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Antony、

    遗憾的是、没有新的顶部冷却发展、其 Coss 将低于 LMG3522R050

    此致、

    Pratik A.