工具/软件:
您好、
您好!
我是 Sonika、Applied ElectroMagnetics Pvt. Ltd.的硬件设计工程师 我们目前正在使用您的 IC 器件型号 LM5026 。
查看数据表后、我们注意到了上的电压 补偿 基准电压 GND 不清楚地指定。 您是否可以在此引脚上提供典型的电压范围或预期的电压电平?
此致、
Sonika
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您好、
我目前正在评估我的电路的效率、初始条件下电流为 10A 时效率约为 77%。 不过、我观察到温度会明显升高、运行 30 分钟后、效率逐渐降至约 74%。 这表明随着时间的推移、热累积会影响性能。
我主要关心的是提高电路的整体效率。
我将分享原理图和效率数据以供您查看。
您能否提出提高效率和解决散热问题的方法?
此致、
Sonika
e2e.ti.com/.../SCH_5F00_SMALL-PCB-5V-20A-DC_2D00_DC-CONVERTER.pdf
您好、
哪些部件已加热?
对于变压器、需要检查磁芯损耗和铜损耗是否在合理的理论范围内。 如果是、那么您只能更改变压器磁芯以减少磁芯损耗、还可以通过选择更大的磁芯并使用更粗的导线布来确定是否可以减少铜损耗。
对于 MOSFET、如果它们具有 V-I 交叉功率损耗、首先要注意 VDS 和 ID、如果是、您可能需要调整死区时间、以便在导通之前允许一些 VDS 下降。 是否正确实现了有源钳位? 您可以测量 VDS 来找出答案。
SR MOSFET 需要尽可能地减少其跨导。 初级侧死区时间(重叠时间)会影响 SR 跨导、因此您需要与次级侧驱动电路死区时间一起进行调整。
完成这些调整后、测量每个元件、并将其理论计算的功率损耗进行比较、找出它们具有最佳性能;如果是、需要进一步改进、用性能更好的元件替换它们。