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[参考译文] LM5171-Q1：组合栅极驱动器

admin
Guru**** 2466550 points
Other Parts Discussed in Thread: LM5171

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1548636/lm5171-q1-combining-gate-drivers

器件型号：LM5171-Q1
主题：LM5171 中讨论的其他器件

工具/软件：

我们正在设计一个如图所示的拓扑。 若要实现将功率级本身用作旁路路径的旁路模式、另一个支持 100%占空比的高侧驱动器输出将与 LM5171 栅极驱动器输出连接在一起。 通过使用电源多路复用器配置为 IC 提供 VCC、确保一次只能加电其中一个 IC。 此拓扑中是否存在任何风险、或者我是否愿意继续？ （PS：通过提供足够的延迟，将确保没有时间让两者都处于开启状态）。

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    TI__Guru**** 2466550 points
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    尊敬的 Preerag：

    由于专家今天不在办公室、所以会有一些延迟、请帮助我们期待明天的反馈。 谢谢你。  

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    TI__Guru**** 2466550 points
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    尊敬的 Preerag：

    这不是典型的应用。 我有几个问题：

    • 当 LM5171 运行时、请确保“高侧驱动器“能够承受 SW 和 HO 的快速开关。
    • 当“高侧驱动器“ 将 HO 驱动为高电平时、LM5171 HB-SW 将由 HO-SW 供电。  HB-SW 通电后、HO 将切换为低电平。

    在我看来、您可以使用如下所示的外部旁路 FET 来避免上述风险。

    此致、

    Feng

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    TI__Guru**** 2466550 points
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    好的、明白了、谢谢你 Feng。

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    TI__Guru**** 2466550 points
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    Feng、您能给我一个更详细的解释吗？当 HO-SW 由外部 MOSFET 驱动时、为什么 HO 会被下拉？ 在该电路中、我们从 VCC 为自举电容器供电、然后该电容器将完全关断。 那么、这是否仍然是一个问题？

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    TI__Guru**** 2466550 points
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    尊敬的 Preerag：

    有一个从 HO 到 HB 的二极管。 当 HO-SW  由外部 MOSFET 驱动时、HB-SW 也会看到电压。

    此致、

    Feng

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    TI__Guru**** 2466550 points
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    好的、明白了。 感谢您发送编修。

    如果我们在开关节点和自举电容器之间添加一个固态开关 (NMOS 或 PMOS)、如下面给出的架构所示。 开关将由 Vcc 本身供电、并在禁用 Vcc 时关闭。 您是否发现此架构存在任何风险？ 此外、如果可能、您能否建议最适合开关的器件及其所需的规格、以便确保它不会影响 LM5171 的工作。

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    TI__Guru**** 2466550 points
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    尊敬的 Preerag：

    您绘制的是错误的、SW 位于两个 FET 的中间。

    我认为断开自举电容器不起作用、因为  从 HO 到 HB 的内部二极管仍处于连接状态。

    您可以使用如下所示的 SPDT。

    此致、
    Feng

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    TI__Guru**** 2466550 points
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    好的、感谢您指出意外错误。 这两者应该连接到开关节点。 TI 是否有任何符合汽车标准且适用于我们应用的 SPDT 开关？ 我们将以 100kHz 的频率运行、NMOS 的最大总栅极电荷为 275nC。

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    TI__Guru**** 2466550 points
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    尊敬的 Preerag：

    我不熟悉该产品。

    此致、
    Feng

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    TI__Guru**** 2466550 points
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    好的、谢谢你 Feng