主题中讨论的其他器件：UCC24610、 TPS23731
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相关主题涉及该主题。 对于给定的设计（使用 PSR 控制，使用辅助绕组和同步整流似乎会在低负载时使输出电压增大）、我选择不再指定–1 后缀、而是–2 后缀。 原因：在第一个原型上、导通时间终止太早（部分原因是–9mV 阈值和低 MOSFET RDS ON）。 鉴于开关频率约为 230kHz、并且–2 后缀类型的保证导通时间更长、我选择了该器件。 尤其要注意的是、表 6.3 规定、–1 后缀器件的最大开关频率范围最高、并且远远超出应用的开关频率。
在第二个原型迭代测试中、我还看到从 VD 开启阈值到栅极驱动器开启的延迟为 180ns。 但这对于 800kHz 的 PWM 周期来说非常重要！ 这可能会导致体二极管导通时次级导通时间间隔的三分之一（但在某些拓扑中这不是问题）。 当次级电流在次级应当向输出端承载电流之后为最大值时、这将得到给定的最大值 频率间隔非常荒谬。 然而,这些天我还看到了相关线程中引用的图形:这里还指定了延迟（以及一个拓扑列表）。 因此、放弃后缀–2、因为 180ns 会导致反激式设计中出现过多的损耗。 即使是 5%的次级电流斜降时间也不必要太长 (2600 ns 的次级电流周期器件、将为 130 ns)、否则会导致不必要的额外损耗。
此外、我认为很好奇、当较新的器件（与旧的 UCC24610 相比、UCC24610 规定了明显的 44ns 延迟）的速度提高两倍或更多时、这很奇怪！ 因此、在下一次迭代中会放弃这些设备、此时我将切换到 MPS 或 onsemi 设备。 它们更快 (30ns)、后者也不会在–9mV（典型值）下关断 MOSFET。 它的输出电压为 0mV、允许我选择具有更低 RDS (on) 的 MOSFET。
另一个问题是根据绝对最大额定值给出的最小 VD 电压：可能不低于–0.7V。 在栅极未驱动的 xxx ns 时间间隔内、整个体二极管电压都会暴露于 VD 上、该电压很可能变为 1V（在给定电流的情况下，其典型值在数据表中未指定）。 数据表中指出、只要从器件获取的电压不超过 10mA、VD 上的电压就可能为–1V。 这表明、如果没有对 VD 的任何串联电阻、则没有串联电阻 测试方法 功率额定值可以得到保证。 我需要插入一个至少 30 欧姆的串联电阻。 但这样的电阻器甚至在 ucc24612-1EVM 中都没有。 无论如何,如果指定 10mA 最大值是否为最大值,将会很有帮助 在没有串联电阻的情况下也能保证。 话虽如此、我现在意识到、当漏极电压将为–1V 时、串联电阻器会将电压限制在–0.7V。 因此、这个–1V/ECG 10mA 规格有点奇怪... 如果 VD 引脚包含一个 30Ω 电阻器、那么该值并不奇怪。 但在这种情况下、–0.7V 将是多余的、会替换为–1.0V 规格、而不附带当前规格。
幸运的是、我设计了一个串联电阻器、但其主要用途是在辅助电路中、该电路应支持从低负载到满载的完整 CCM 行为（这是 tps23731 支持的唯一模式）。
