主题中讨论的其他器件:BQ41Z90、BQ40Z80 、 BQSTUDIO
工具/软件:
您好、
我正忙于使用 BQ41Z90 EVM。 我目前正努力使充电和放电 FET 导通。 我已经尽可能地设置了数据存储器、但我不确定是否缺少某些内容来阻止 FET 激活。
我随附了数据内存文件以及寄存器图像。 我非常希望在这方面给予任何帮助。
此致
Marco 
e2e.ti.com/.../1212.Registers.gg.csv
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工具/软件:
您好、
我正忙于使用 BQ41Z90 EVM。 我目前正努力使充电和放电 FET 导通。 我已经尽可能地设置了数据存储器、但我不确定是否缺少某些内容来阻止 FET 激活。
我随附了数据内存文件以及寄存器图像。 我非常希望在这方面给予任何帮助。
此致
Marco 
e2e.ti.com/.../1212.Registers.gg.csv
感谢您发送编修。
遗憾的是、这没有解决我的问题。我仍然无法切换 FET、在 DA 配置下 NR 已设置为 0、我还想使用并测试我设置的保护功能、因此我更希望它保持启用状态、但在启用或禁用 FET 的情况下无法切换 FET。
更多有关设置的信息。 我正在使用 6 节串联 锂离子电池组、我已成功使用 BQ40Z80 来作为参考、化学 ID (0x2152) 与池水非常匹配。 每节电池的典型容量为 4000mA、最小 3900mA、标称电压为 3.7V、标准充电电压为 4.2V、截止电压为 2.5V、标准充电电流为 2A、最大持续放电电流为 35A。 电池已根据 EVM 建议正确连接。
似乎在进行建议的更改后、寄存器显示了几个已设置为高电平或低电平、REST 为低电平、RDIS 高电平和 RTA 高电平的不同位。 以下是更新后的图像。

此致
Marco Moller
尊敬的 Diego:
从我可以看出、问题在于设置了 TDA 和 TCA 位。 这是由 PRESS = 0 引起的。 我在 TRM 中读到、印刷功能由 NR 位决定、但无论我设置 NR、印刷机都保持为 0。
我用示波器抽头了引脚 43 上的测试点、并确认每 250ms 的采样没有下拉至接地。 当通过物理连接强制它接地时、存在 PACK 电压。 如何在配置中解决此问题。
此致
Marco Moller
尊敬的 Diego:
请找到随附的 bq.fs 文件。
此致
Marco Moller
e2e.ti.com/.../TEST.bq.zip
您好、
我还没有机会测试您的配置。 不过、以下是闭合 FET 的完整步骤、帮助了许多客户。
电路板设置
探讨



测量



BQstudio 设置
FET_EN = 1

这可通过右侧的 FET_EN 命令进行切换
FET 选项= 0000
数据存储器->设置-> FET 选项

NR = 1
数据存储器->设置-> DA 配置

禁用保护功能
确保所有保护均已禁用、所有保护应=0、请注意某些位已收到保留、可以按原样保留。 TRM 中介绍了这些位。

此致、
Diego