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[参考译文] LM74610-Q1：关于驱动 MOSFET 和输出电容的说明？

admin
Guru**** 2782575 points

Other Parts Discussed in Thread: TPS63900

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1548950/lm74610-q1-clarification-about-driving-mosfet-and-output-cap

器件型号：LM74610-Q1
主题：TPS63900 中讨论的其他器件

工具/软件：

团队、

您能否就以下问题提供帮助：

我们想使用 LM74610 来定期传导 MOSFET 并为电容器充电。 此电路将用于控制在 TI TPS63900 输入端流动的电流。
-是否可以添加以下电阻器（至少 220 欧姆,为了保护的原因,以符合某些特定的要求）?
-如果我们在输出端使用一个电容为 3.6V 的 1000 μ F 电容器,会有什么影响?
-您对此实施有其他建议或意见吗?

提前感谢、

Anber

  • 0
    TI__Guru**** 2782575 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Anber：

    220 Ω 电阻的用途是什么？

    您可以在输出端使用 1000 μ F 电容器。

    此致、

    Shiven Dhir

  • 0
    TI__Guru**** 2782575 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    出于 ATEX（易爆环境）考虑、我们必须限制 LM74610 芯片内部的功率、以防出现故障、因为它具有高 Rth。 使用电阻器、我们可以限制温度升高。 晶体管的大小将以相同的方式调整、以便在发生短路等情况下耗散功率。 此致

  • 0
    TI__Guru**** 2782575 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Frederic：

    您可以使用 220 欧姆。

    此致、

    Shiven Dhir

  • 0
    TI__Guru**** 2782575 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    TI 团队大家好、

     

    我的仿真表明、组件的输出端至少需要 1500µF 来滤除电路关闭 MOS 的时间。

    这意味着在小尺寸情况下需要使用一个大电容器... 从而实现高漏电流。

     

    此漏电流（钽大于 500µA） 不）不符合所需的自主操作要求。

     https://www.kemet.com/en/us/product/T520H158M006ATE055.html

    3.6V 时的漏电流：0.1 x 1500 µF x 3.6V = 540µA

    它是直流/直流转换器+模块消耗的 100 倍！！

     

    这意味着、这种采用 LM746xx 的解决方案是不可行的。

     我必须选择另一种解决方案、可能在分立式元件中。 （MOS 和晶体管或比较器）

     感谢您的支持。

    FP

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    TI__Guru**** 2782575 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 FP：  

    很抱歉、我们没有为您提供解决方案。 祝您顺利。

    此致、

    Shiven Dhir