[参考译文] CSD25501F3：Vgs 上具有正偏置时的漏源漏电流

您好 Brendan、

感谢您关注 TI FET。 CSD25501F3 具有指定、测试和保证 IDSS < 50nA 的特性、VGS = 0V、VDS =–16V 且 T = 25°C。 我能够找到在 VGS = 0V、1V 和 2V 条件下进行产品开发时收集的晶圆探针数据。 IDSS 存在上升趋势、具有正 VGS 值 (1V 和 2V)、可能超过 50nA（最大值） 我使用了被探测的 3 个芯片的平均值、从 VGS = 0V 到 VGS = 1V、IDSS 增加~27x、从 VGS = 0V 到 VGS = 2V、IDSS 增加~99x。 VGS = 0V 时、IDSS 的平均值远低于最大指定值 50nA。

然后、我创建了 VDS =–16V 时 IDSS 与 VGS 的关系图。 我使用二阶多项式趋势线将数据外推至 VGS = 9V、这预测在 VGS = 9V 和 VDS =–16V 时 IDSS ~ 1μA。 我不知道外部栅极电阻器会对 IDSS 产生什么影响、因为晶圆探针是在没有任何外部栅极电阻器的情况下完成的。 我想它会降低器件引脚上 VGS 的实际值、从而降低 IDSS。 请注意、这仅用于设计目的、TI 仅保证数据表中指定的内容。

如以下链接中的技术文章所示、IDSS 随 VDS 和温度的升高而升高。

https://www.ti.com/lit/pdf/sszt206

https://www.ti.com/lit/pdf/sszt144

希望这对您有所帮助。 如果您有任何问题、请告诉我。

此致、

约翰·华莱士

TI FET 应用

您好、John。
首先、我要感谢你们提供的高质量的支持和富有洞察力的信息、感谢你们的详细调查和分析。

您提供的答案完全解决了我的问题、让我们能够根据 需要进行明智的电路修改、从而 消除正栅极偏置以保持重要的低泄漏凭证。

再次感谢您。

此致、

Brendan Townsend