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https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1545836/bq25751-do-you-have-any-parts-calculation-tool-for-peripheral-parts-of-bq25751
工具/软件：
大家好：
我的一个客户考虑将 BQ25751 用于其新产品。
现在、他们有以下问题。 请你给我答复。
Q 如果 TI 有适用于 BQ25751 外设器件的任何器件计算工具 、则他们希望使用该工具。 你说什么? 如果没有、是否仅使用器件数据表中编写的计算方法来计算外设部分？
非常感谢您的答复。
此致、 Kazuya。
您好、Kazuya、
建议参阅我们的 BQ2575X 计算工具：https://www.ti.com/tool/download/BQ25756-DESIGN-CALC/
此致、
基督教。
您好 Christian：
是否有任何文档介绍了如何为 BQ25751 选择外部开关 MOSFET？
再次感谢大家、此致、 Kazuya。
是的、我建议参阅我们有关 MOSFET 选型的应用手册：e2e.ti.com/.../sluaax9.pdf
基督教
非常感谢您的支持。
我可以询问一下这个计算工具吗？
该工具指出输入/输出最小电容器为 160uF。 但 BQ25751 EVM 的每个输入/输出电容器约为 100uF。 它比计算工具要小。
这不是问题吗？ 该工具说不需要遵循的最小电容值吗？
我不知道为什么计算工具说最小值为 160uF。 降额后的正确最小值为 80uF、建议值为 160uF。
Christiam
您好 Christiam、
我告诉他们最小输入/输出值为 80uF、他们明白了这一点。
还有一个问题、如下所示。 请你给我答复。
Q 该计算工具未显示推荐的 NMOS FET VDS 和 IDS。 您能告诉我如何确定 VDS 和 IDS 吗？
我建议 选择至少比最大输入电压高 20–30%的 VDS 额定值、以提供足够的裕度。
我建议 根据最大输入/充电电流选择 IDS 等级。
非常感谢您的大力支持。
您的回复对客户和我都很有帮助。 我将关闭此主题。
但客户还有一个关于 BQ25751 的问题。 所以我会在另一个主题上提问。
