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[参考译文] LM27761:无法可靠上电

Guru**** 2480395 points
Other Parts Discussed in Thread: LM27761

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1551783/lm27761-not-powering-up-reliably

器件型号:LM27761


工具/软件:

您好、

我使用 LM27761 的设计有时无法按预期工作:在某些情况下、它会提供太低的不稳定负输出电压。
它旨在从 3.2V 电源生成–2.7V 电压。 负载当前约为 280uA、需要能够上升到 1mA 左右。  

到目前为止、我已经将其跟踪到开机的方式:
-如果我使用实验室耗材上的“启用“按钮,它将按预期启动。  
-如果我使用连接 VIN 的跳线(通过原理图中的 VDD_NEGRAIL ),它会产生一个–200mV 和–600mV 之间的摇摆电压。 在这种情况下、它不会恢复、除非我通过实验室电源上的 ENABLE 按钮重启电源。

VIN 引脚上的上电事件的示波器图像显示了该引脚上电压如何上升的显著差异(我可以想象这确实会在器件上造成差异) 。  

从实验室电源上电


通过在 VIN 上连接跳线上电


使用跳线上电时的输出(从实验室电源上电会产生预期的正常–2.7V 输出)


原理图
(请注意,在设计中,R4 和 R3 会加倍以适应多种封装、仅填充每个封装中的 1 个。  


PCB 布局

在我看来,它应该工作,即使“直坡“上电. 我的 27761EVM 模块不存在此问题、因此应该可以得到正确的:-)
我的电路与 EVM 的电路之间的差异不是很大、主要是直接围绕芯片的布局有些不同、电容器和电阻器的制造方式也不同(或者,我假设 EVM 上没有所用的 P/NS,但它们保持不变的可能性几乎为零)。  

可能是我的盖子或特定器件需要使用稍微不同的值吗?
也许布局有一些问题会导致这种行为?

非常感谢任何帮助!

Martin Koster
Sofrides IO

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    尊敬的 Martin:

    感谢使用 E2E。

    能否请您在快速启动时绘制 VIN、C++、CPOUT 和 VOUT 以及较慢启动时的示波器屏幕截图。

    此外、您能否在没有任何负载的情况下尝试快速启动。

    此致、
    SEPP

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    您好 Josef、

    感谢您的快速响应。 请查看以下示波器快照:



    加载缓慢启动。

    顶部的黄线为 VIN。 光标(洋红色)的下一行是 C++、青色线为 0V、图像末尾的最低一行是 CPOUT、最后略高于 CPOUT 的绿线为 VOUT。  




    在有负载的情况下快速启动




    在空载的情况下慢启动




    在无负载的情况下快速启动


    我希望这些有助于找出问题。 如果您需要任何其他信息、请随时联系我。

    此致、

    Martin Koster
    Sofrides IO

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    尊敬的 Martin:

    感谢您查看其他图。

    • 您能否请 再次放大启动斜坡以查看“无负载快速启动“图、从而更详细地了解启动过程。
    • 在“从负载开始的慢速度“图中、VOUT 在斜坡相位为正、不知何故来自外部、因为 CPOUT 此时为 0V、请参阅图。
    • 请尝试在 VOUT 处使用肖特基二极管来在启动时切断正电压。

    此致、
    SEPP

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    尊敬的 SEPP:

    请在下面找到所需的图:


    在 500us/dev 的无负载下快速启动


    在 200us/dev/dev 的空载条件下快速启动

    有趣的概念上的 VOUT 线是积极的。 我查看了 LM27761 断开连接的这条线、在上电时、它将在 0.62V 左右浮动。这个电源轨后面有一些运算放大器、因此我猜正电源轨在不驱动时会“通过“流入负电源轨。  

    我假设这不会导致我们现在正在研究的问题、因为空载情况(因此没有不需要的 VOUT 拉取)具有相同的问题。
    “那是什么?
    -是否仍建议在下一个版本中放置肖特基二极管?

    此致、

    Martin Koster
    Sofrides IO

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    尊敬的 Martin:

    LM27761 通常对启动时的正 Vout 非常敏感、但此肖特基二极管无法解决您的问题、因为我们也会看到空载时的失效行为。

    您是否检查了多个商品/板或仅检查了一个?

    您正在使用哪些电容器? 请提供器件型号。

    此致、
    SEPP

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    尊敬的 SEPP:

    电容器的器件型号:

    C5 (VIN) 10uF Samsung CL31B106KAHNNNE
    C6 (VOUT) 1F Samsung CL31B105KBHNNNE
    C7 (VOUT) 2.2uF Samsung CL31B225KBHNNNE
    C8 (C+/C-) 1F Samsung CL31B105KBHNNNE
    C9 (CPOUT) 10uF Samsung CL31B106KAHNNNE

    我刚刚检查了另一个板,它显示完全相同的症状(仅在没有负载的情况下测试)。

    如果您需要任何其他信息、请告诉我。

    此致、

    Martin Koster
    Sofrides IO

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    尊敬的 Martin:

    您能否提供 在相同条件下在 OUT TI 27761EVM 上测得的“在 200us/dev 下无负载快速启动“图。

    到目前为止,一切看起来都还可以…

    此致、
    SEPP

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    尊敬的 SEPP:

    当然、您可以:

    看起来有很大不同、但 EVM 确实正确地提供了(在本例中)约为–1.83V 的负电压。

    希望这对我有所帮助、请随时发布!

    此致、

    Martin Koster
    Sofrides IO

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    尊敬的 Martin:

    经过长时间的内部讨论、我们得出结论、故障行为的来源可能是电路板上的 GND 连接。

    您可以使用较长的布线(高电感)将器件的 GND 引脚 (1) 连接到 GND 平面以及 GND 散热焊盘。

    请尝试  

    • 将 GND 引脚连接到器件下方的散热焊盘 (2)
    • 将 GND 引脚连接到连接到外部散热焊盘的布线 (3)
    • 钻一个孔并过孔到 GND 引脚 (4) 附近的 GND 平面。

    可能是在快速启动时、它无法完全解决问题、但如果此修改改善了行为、请尝试。  

    此致、
    SEPP


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    尊敬的 SEPP:

    连接 2(GND 引脚到器件下方的散热焊盘)将需要更改 PCB 布局、因此必须等到下一个修订版本。 连接 3 我可以用跳线,应该是相当容易。 对于连接 4、我需要鼓起一些勇气来进行钻孔、但我会给它一个射门。 我会尽快为您提供结果更新。

    在平均时间、我做了一些其他测试。 此电路板的早期版本在点 nr 4 处确实有一个过孔(请参阅顶部铜质图像)。 我无法在此电路板上重现快速启动问题、该问题表明(但没有确凿证明,请参阅下一条备注)此过孔与此问题相关(如果对该问题不重要)。

    不过、这个早期版本存在不同的问题。 它忽略了指导原则“ CIN 和 CCPOUT 的返回点必须在尽可能靠近 GND 引脚的一点连在一起“(数据表,第 10.1 节)。 此版本的负输出电压通常不稳定、并很大程度上取决于输入电压。 仔细检查数据表后、我意识到遗漏了 CIN 和 CCPOUT 的退货。 它们只会通过接地平面反馈到引脚 2、还会通过一个很远的过孔、顺便说一句、这会使路径非常长(请参阅底部铜的图片)。 我临时通过从 CIN 的 GND 侧到 GND 引脚的焊接线来解决此问题。 此后、输出电压完全稳定。 在下一个修订版中、我在布局中修正了该问题、但删除了 GND 引脚附近的过孔。 在事后看来,也许这不是一个好主意...

    这里让我感到奇怪的是、在旧设计中存在一个小错误:散热焊盘中的两个过孔实际上并未连接到接地平面(同样,请参阅底部铜层的图像)。 然而、将 GND 引脚连接到接地平面的过孔似乎有区别...

    我希望这些额外的信息是有用的,不会增加混淆:-)

    我将在评估 PCB 更改后立即回复您。

    此致、

    Martin Koster
    Sofrides IO


    早期版本的顶部铜(以及底部铜)


    早期版本、底部铜

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    再次大家好、

    第一个结果位于中。 我做了 PCB 开发历史中最丑陋的修复工作、一股焊接在引线槽的一部分上、从 GND 引脚(阻焊层刮擦干净) 连接到 VFB 电阻器的连接点、在此处它连接到散热焊盘。 请参阅图片(和笑)。  

    这大大改善了情况。 它现在可以在无负载的情况下快速启动、非常稳定地启动。 我注意到的唯一差异是、有时它会上升到比预期(设定)输出电压低约 2-3 mV 的输出电压。 在混凝土中、有时它启动并稳定在 2.699V、而通常启动至 2.702V。 这在缓慢启动时似乎不会发生。 这仍然有点鱼腥、但正如前面所说的、真的好得多、所以我们可能在这里走正确的路。

    我想我今天已经耗尽了我的运气、并将为明天节省过孔钻孔操作。

    此致、

    Martin Koster
    Sofrides IO

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    尊敬的 Martin:

    非常感谢这个好消息。 让我们等到明天、看看下一个结果。

    此致、
    SEPP

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    尊敬的 SEPP:

    设法使过孔而不破坏 PCB :-)

    我使用三种不同的选项进行了测试:

    1.从 GND 引脚到散热焊盘的跳线(昨天的图片)
    2.从 GND 引脚到接地平面在底部的铜,#4 在你的图片从八月 19th。
    3. 1 和 2 的组合

    VOUT 未超过–600mV 时的原始不稳定问题在所有情况下都不再可见。 在这方面: 巨大的成功!

    就像昨天一样、我观察到有时输出稳定在  2.699V、而通常稳定在 2.702V。 对于选项 1 或 2、这似乎发生在 10 次中的 1 次左右。  
    对于选项 3、这种情况仍然存在、但很少发生到无法重现的程度。

    有什么想法在这里发生了什么? 我们应该担心这个问题吗?

    此致、

    Martin Koster
    Sofrides IO

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    尊敬的 Martin:

    非常感谢您的反馈。 通常、您应在每个元件到 GND 平面的每个 GND 连接上放置过孔以获得良好的接地。

    您不应该担心这一点。 我认为、接地良好后 、您将看不到它。

    此致、
    SEPP  

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    尊敬的 SEPP:

    非常感谢、我将在下一次修订时考虑到这一点。 是否可以让此主题保持打开状态、并让你们在更新的布局准备就绪时审阅它? (将为一两周)

    此外:当 GND 引脚焊盘连接到器件下方的 TP 时、是否仍然需要实现跳线的 PCB 布线(图中的选项 3,从器件的接地引脚到散热焊盘轨道)? 因为这条轨道很难铺设所有的 Cs 和反馈电阻器的方式、在我看来、一旦器件下方存在连接、它实际上就没有添加任何内容。

    感谢您的建议!

    此致、

    Martin Koster
    Sofrides IO

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    尊敬的 Martin:

    方案 3 仅用于测试、即之后改善接地。 在您改进后的新布局中、无需执行此操作。

    我 现在将关闭此威胁、因为我已外出 3 周、因此如果您已准备好使用新布局、请创建一个新威胁。

    此致、
    SEPP

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    尊敬的 SEPP:

    好吧、会做的! 感谢您的帮助、享受您的假期!

    此致、

    Martin Koster
    Sofrides IO