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[参考译文] LM74610-Q1:ORing 电路未供电源端子上的反向电势

Guru**** 2480745 points


请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1555089/lm74610-q1-reverse-potential-on-unpowered-source-terminal-of-oring-circuit

器件型号:LM74610-Q1


工具/软件:

我们使用 LM74610 器件对两个 24V 电源 (24V_1 和 24V_2) 进行 ORing。 在测试期间、我们一次仅为一个电源 (24V_1 或 24V_2) 供电、而另一个电源保持未通电状态。

然而、我们在未通电电源的端子上观察到了约 1.6V 的意外电压。 此外、我们还在 MOSFET 栅极端子上测量约 300mV 的 VGS。

请帮助我们了解导致此行为的可能原因。

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    尊敬的 Praveen:

    1.6V 累积可能是由于阴极到阳极之间的漏电流所致。

    此致、

    Shiven Dhir

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    尊敬的 Shiven Dhir:

    感谢您的答复!

    从数据表中、我们知道 LM74610 的阳极和阴极引脚用于测量 NMOS 体二极管两端的电势。 给定此功能后、我们正在尝试了解这些引脚上可能发生的漏电流。 您能否澄清此类泄漏的可能来源、如果这是已知行为、您是否有任何建议来尽量减少或避免此类泄漏?

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    尊敬的 Praveen:

    我们在数据表中定义了泄漏规格。

    此致、

    Shiven Dhir

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    您好、

    我们知道泄漏问题、但之前我们可以理解为该问题是非常小的电流。 当我们强制将 NMOSFET 的栅极接地时、电压会降至 0V、从而确认通过 MOSFET 发生泄漏。

    根据规格、如果 VDS 超过–20mV、引脚下拉 (PD) 应激活并下拉栅极节点。 但是、我们观察到在这种情况下 VGS 大约为 300mV、这与预期行为不一致。

    您能帮助我们了解为什么会看到这种电压升高的情况吗?

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    尊敬的 Praveen:

    当器件开启时、栅极被主动拉至低电平。

    在关闭状态下、栅极被动被拉至低电平。 这可能是 300mV 累积的原因。

    此致、

    Shiven Dhir

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    尊敬的 Shiven Dhir:

    我们检查了电源、似乎器件已正确供电。 如果有具体的方式进行确认、请告知我们。

    此外、我们是否可以在 MOSFET 的栅极添加一个下拉电阻器来解决此问题? 添加下拉电阻会产生任何负面影响吗?

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    尊敬的 Praveen:

    我记得您提到过、电源轨“未通电“

    “然而、我们观察到未通电电源端子上出现约 1.6V 的意外电压。 此外、我们还在 MOSFET 栅极端子上测量了约 300mV 的 VGS。“

    不建议在 MOSFET 栅极上添加下拉电阻。

    此致、

    Shiven Dhir

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    尊敬的 Shivendhir:

    为了阐明我之前的观点:在我们当前的项目中、我们将在冗余配置中使用电源。 为了确认正确的冗余、我们一次测试了一个电源:24V_1 在 24V_2 关闭时通电。

    在这种情况下、我们观察到 24V_2 电压轨上的返回电势为 1.6V、VGS 为 300mV 。 我们观察到了相同的行为,反之亦然 — 当 24V_2 通电且 24V_1 关断时。

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    尊敬的 Praveen:

    如前所示、由于漏电流、预计未上电的电源轨上会出现电压累积。

    电流在系统中没有足够的强度故障。 您可以添加泄放电阻器以在未通电时将电源轨拉至低电平。

    此致、

    Shiven Dhir