工具/软件:
尊敬的 TI 团队:
对于如何消除这种双开关脉冲、您有什么建议吗? 这些是使用定制板和 BNC 探头触点测得的波形:输出电压(黄色通道)、开关节点电压(品红色)、在电流检测电阻器(青色)上测得的初级电流。
在 FET 停止导通后不久、控制器会重新开启 FET 大约 100ns。

如果有人想联系我、我可以分享原理图和快速入门计算器等
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尊敬的 TI 团队:
对于如何消除这种双开关脉冲、您有什么建议吗? 这些是使用定制板和 BNC 探头触点测得的波形:输出电压(黄色通道)、开关节点电压(品红色)、在电流检测电阻器(青色)上测得的初级电流。
在 FET 停止导通后不久、控制器会重新开启 FET 大约 100ns。

如果有人想联系我、我可以分享原理图和快速入门计算器等
您好、Dan、
感谢屏幕截图。
您的图像显示了很多寄生失真。
要预先澄清措辞:
当您说“双开关脉冲“时、您讨论的是橙色圆圈中的信号(绿色,红色和蓝色尖峰)
而不是紫色圆圈内的红色信号。
是这样吗?
当能量完全消耗时、紫色圆圈中的红色信号为常规正态、DCM 中出现寄生振铃。
但系统中存在多种严重的寄生失真。
-电感器电流有相当大的纹波。
-当 FET 关闭时,灰色圆圈内有一个大过冲。 这不是很好,但也不是太危险。
-短后,在橙色圆圈中, FET 再次打开(短时间)。 开关节点电压和电感电流会显示出很大的尖峰。 这实际上可能会损坏 FET 和其他元件。
请尝试以下改进:
-引入一个 3 至 10 欧姆之间的栅极电阻器
-在 FET 上实施缓冲器(RC 设备)
-减少感应电阻器的(寄生)电感(不同的供应商,不同的元件形状)
-使用不同的(较慢的)FET
-如果没有其他帮助,尽量减少布局的寄生效应,尤其是从 FET 到 GND 的路径,以避免栅极偏移。

此致
哈利
您好 Harry、
非常感谢所有的建议! 我不知道您是否可以访问原理图? 我把它寄给了哈桑一封私人信。
是的、我指的是短暂的脉冲、而不是反激式转换器典型的振铃。
这里放大了该区域。

我有一个 从开关节点到 Vin(典型值)的 RCD 缓冲器、也可以在 FET 两端添加缓冲器。
但根据您所说的、我认为我需要重新访问 BOM。 我使用的 是非常快的 FET (~2ns!) 我会用慢得多的东西代替它。
谢谢!
亲爱的哈利和哈桑
我在 FET 上添加了一个 RC 缓冲器(我认为在这里还有其他事情可以做,以便转换值)。
100 Ω 栅极电阻器
上升时间约为 50ns 至 100ns、 使用 100 Ω

仍然发生第二次导通

1k Ω 栅极电阻器
我选择了 1k 栅极电阻的极值;这样可得出大约 1us 的导通时间、

第二个导通开关仍然存在!
整流器二极管上的 RC 缓冲器
我想在次级侧的整流器二极管上添加一个 RC 缓冲器、这有助于消除电流波形中的振铃。
但双开关脉冲仍然存在。


最后建议?
强烈怀疑该布局是否合理? 我的意思是,这是你的兴趣,建议它的布局,所以我走了,但老实说 ,我很好奇 如果你能想到任何其他的东西。 如果有兴趣、我可以分享 Gerber 文件。
感谢您的帮助。
PS: 更新了整流器上的 RC 缓冲器、而不是添加到后置
您好、Dan、
我可以假设绿色信号是 FET 的栅极吗?
这将确认栅极信号不由控制器驱动、并且存在严重的接地漂移。
此外、我想知道电感器电流为什么会振荡这么多。
可能您没有足够的陶瓷容量、或者电源和 PCB 之间的导线很长、很细。
电源路径的所有 GND 连接(尤其是从 FET 到检测电阻到 GND 的连接)都必须非常稳定且短。
此外、请勿对功率级使用任何散热连接。
1k 栅极电阻器太高了、不得使用(我知道这只是一个实验)。
我也认为 100 欧姆电阻过高。
因此、根据您自己的建议、我建议使用速度慢得多的 FET。
无论如何、开关频率非常低。
此致
哈利
我可以假设绿色信号是 FET 的栅极吗?
这将确认栅极信号不由控制器驱动、并且存在严重的接地漂移。
是的,在我最后一个帖子的前三个图像中,绿色迹线是门。
我需要用手来探查、在最后两张照片中、我没有在探查门、所以看起来它现在是活跃的 、但它是活跃的。
感谢您发送编修。