Other Parts Discussed in Thread: LM5122, LM5121
工具/软件：
您好、
当唯一负载是功率 LED 时、基于 LM5122 的升压转换器的输出稳定在大约 38V。 然而、一旦我连接直流电机、输出电压就会上升、然后每 3–5 秒崩溃一次、无限期地重复此周期。
为转换器供电的工作台电源可提供高达 10A 的电流、这会超过电机的浪涌和运行电流。
原理图和 PCB 布局（随附）是从 TI 的评估板复制而来、我尽可能严格地遵循了布局指南。
在电机负载下、什么因素可能导致出现周期性的上升和下降行为、如何稳定输出？ 任何有关测量或元件更改的建议都将不胜感激。
Schmatic 图像： https://ibb.co/ycnYxnRS
尊敬的 Sinan：
感谢您的重新上传和参数。
现在、我不能说造成断续振荡的根本原因是什么。 为此、您可以在故障情况期间进行波形测量并测量 VOUT 和 SW 电压会有所帮助。
这可能会向我们显示它是否与系统的不稳定有关。
我对该设计有一些一般性评论：
原理图：
- C4 是自举电容器。 是 10uF 还是 100nF？ 100nF 是更好的选择、因为该电容器应小于 VCC 电容器 C7。
-补偿应该是稳定的,但你可以尝试另一组值,看看行为是否改善。
对于给定的规格、我建议将 R11 和 C13 替换为 34k Ω 和 70nF。 （基于我们的功率级设计器计算器工具）
布局：
-是否在 Cin/Cout 电容器附近的电源接地平面上放置了任何过孔？
从低侧 MOSFET GND 返回到输入/输出 GND 的环路对于功率级至关重要、应尽可能短。 
谢谢、此致、
Niklas
您好、Niklas、
我刚刚接触到电路板、并通过在 PCB 上钻孔来手动实现您的 GND 连接建议。 随着这种变化、每几秒的周期性速度波动消失、现在在相同的输出电压下稳定运行。 但是、在负载条件下、输出电压降至 16V、而在空载条件下、我看到的输出电压为 37V 
我怀疑电源。 我将尝试另一个版本。
尊敬的 Sinan：
我再次检查了原理图、到目前为止我遗漏了一个主要误差。
您能否检查 SW 引脚和开关节点本身之间是否存在连接？
否则、高侧 FET 无法正常导通、并且仅通过高侧 FET 的体二极管将器件作为异步升压运行。
这在空载时可以正常工作、但在较高负载下、高侧 FET 最终将断开。 
也许您可以在 C4 的焊盘与高侧 MOSFET 的源极之间添加一根导线？
很抱歉我在第一次评论中错过了这个。
此致、
Niklas
尊敬的 Sinan：
感谢您的更新。
您是否可以使用示波器探测以下信号：
- VOUT
- SW
- COMP
- VCC 
在此基础上、我们应该能够缩小未达到 VOUT 目标的原因。
谢谢、此致、
Niklas
尊敬的 Sinan：
感谢您记录波形行为。
在我看来、器件正在开关并尝试升高电压、但在复位之前会停止更长时间。
这可能与器件的断续过载保护功能有关。
数据表中提供了说明： 
如果启动期间的浪涌过高、器件将复位、器件始终无法实现输出电压目标。
要验证它是否真正具有断续保护、您可以将 C9 电容器替换为 0 Ω 电阻器。 这会将 RES 引脚缩短到 GND 并禁用断续功能。
另一种选择是使用更大的软启动电容器 (C8)。 这将减慢电压斜升、从而降低总浪涌电流。
此致、
Niklas
您好、Niklas、
如您建议的那样、将 C9 电容器短接至 GND（我没有可用的 0Ω 电阻器，因此直接将其短接）。 对于 C8、我安装了一个 1 µF 电容器。 我正在分享下面的示波器波形。
目前、电路不再进入启动/停止行为、但在 12V 输入下、输出仍可升至最大 15.5V。可调电源设置为 12V / 5.5A。当我为系统加电时、电流约为 1.68A、但输入电压降至 11.68V
我考虑重新绘制电路并在新的 PCB 上组装所有元件、以确保不会出现布局或焊接相关问题。
e2e.ti.com/.../7356.vid.mp4 
此致、
您好、Niklas、
我继续讨论这一主题主题。 如果不合适、我可以打开另一个。 我打算继续在这里,直到问题完全解决:)
我分享了下面的原理图和 PCB 视图、您能看一下吗？ 
尊敬的 Sinan：
感谢您的更新和新文件。
我将原理图与之前的设计进行了比较、并批准在修订中实施的所有更改。
原理图对我来说看起来很好。
关于布局、仍有一些可能的优化：
- SW 布线和 HO 布线应彼此非常靠近。 SW 布线是高侧驱动器电流的返回路径、因此将 HO 和 SW 彼此靠近放置将降低系统噪声。
我以黄色突出显示了这两条迹线。 
-开关节点平面放置了大量过孔。 这些过孔是否用于散热、或者有其他用途？
当 SW 平面上升和下降时、它将使节点面积更大增加噪声、尤其是在它遍历多个层的情况下。
-现在放置过孔,将 LO MOSFET 接地与输入/输出接地连接,这是很好的。
由于接地路径相当长、因此 LO MOSFET 本身的放置仍然不理想。 如果 MOSFET 可以放置在电感器上方、则放置位置更理想。 但是、由于尺寸限制、我不知道这是否可行。
EVM 参考板： 
此致、
Niklas
您好、Niklas、
感谢您的支持。
为了冷却 Q1 MOSFET、我将在底层上创建一个与 Q1 焊盘具有相同面积的平面、并使用过孔进行热量传递。 我不想添加外部散热器。 如果您有任何其他建议来通过减少 EMI 问题来改进散热、请与我分享它们。
我已经根据你的建议作出了调整。 我无法更改 PCB 尺寸、并且高的零部件必须保持在中心。
如果您对此最终版本有任何其他建议、请告知我、这样我就可以在发送 PCB 进行原型设计之前添加这些建议。
此致 
