[参考译文] BQ25756：REGN 电压过低

您好、

不应使用 REGN 来为其他元件供电。 它不具备大电流能力。 REGN 用于 TS 热敏电阻网络和栅极驱动器。 如果断开 SN74LVC1G19DCKR、REGN 上的电压是多少？

此外、我不建议将 REGN 连接到 I2C 通信线路。 当充电器处于仅电池线路时、REGN 将关断。

此外、TS 引脚电压检测以 REGN 的百分比为基准、此处使用的 12V 可能会影响充电器与电池实际温度相比的温度区域。

此致、
Michael

谢谢您、

断开连接时 SN74... REGN 电压为 5V。 我也以热敏电阻为参考 REGN 引脚

现在充电开始、但当充电电压设置为 1.6A 时、电感器会升温至 90 度、并从电源消耗 5.24A 电流（这是最大电源电流）、电源电压降至 6V。 当并联连接两个电源时、电流消耗为 10.48A、电压仍为 6V。 此时的充电电流变为 3.2A。

更改开关频率没有任何帮助（已尝试将其从 450kHz 更改为 600kHz）。

您认为导致此行为的原因是什么？ 此充电器是否可以为电感器写入？

您好、

我查看了电感器 PA5432.103NLT 的数据表。 这个电感器似乎应该与 BQ25756 配合使用。 我认为问题的一部分可能是 MOSFET 的选择。 该 MOSFET 具有 1200 pF 的 Coss。 在第 9.2.1.2.8 节中、数据表指出：“建议限制总开关节点电容 CSW (nF)< 160/VIN；例如、对于 60V 应用、建议保持总 CSW < 2.67nF。“ 使用输出电容较低的 MOSFET 时、行为是否有所改善？

您的输入和输出电压条件是什么？

此外、您能否提供 SW1、SW2 和输入/输出电流的波形？

此致、
Michael Bradbourne

大家好、我身上没有更多 MOSFET、但我会订购更多 MOSFET。

我将试用 BQ25756 数据表中建议的 MOSFET

输入电压为 12V、输出电压为 12.6V。

SW1

SW2

您好、

请告诉我、新 MOSFET 是否有任何改进。  所示的波形与 12V IN 和 12.6V OUT 的预期波形不同。

同时、您是否可以使用 ADC 来测量输入电流和输出电流？ 当充电电流受硬件限制为 1.6A 时、这些情况下不应出现 5A 的电流消耗。我想知道电路板上的任何位置是否短路。

此致、
Michael

您好：

我将 MOSFET 更改为 AONS66614CT、将电感器更改为 IHLP6767GZER100M01。 情况稍好一点、但还可以。

我将 I_LIM_HIZ 短接至 GND、并知道当我尝试使用 12V 输入电压充电时、输出端没有获得任何电流。 但当 I 较低输入电压至 5V 时、充电正在进行、但它从电源消耗 4、7A 电流（充电电流为 1、6A、因此损耗为 5W）。

当充电不起作用时、我可以听到电感器声音、当我降低输入电压时、声音消失（或者至少听不到）。

在我在 ILIM_HIZ 引脚上将 8k 电阻器焊接到 GND 之前、当我尝试充电时、它消耗的电流为 0A 至 3,5A（它一直波动）。 一段时间后、电流始终降至 0.2A（来自电源）且未充电。 我始终可以听到电感器发出声音。 你有什么建议吗？

您好、

当输入电源为 12V 时、是否从输入汲取了任何电流？ 在导致功率损耗的地方可能会发生短路。 您的寄存器是否会报告状态寄存器、故障寄存器和标志寄存器中的任何内容？ 您能否提供输入/输出电流和 SW 节点的波形？

此致、
Michael

您好：

输入电压为 12V 时、输入电流在 1A 和 2A 之间波动（目前我无法提供输入/输出电流，但您可以提供相关信息）。 没有短路。 REGN 始终为 5V。 STAT1 开启（拉至低电平）。 STAT2 关闭

SW1

SW2：

电源的电流经过一段时间（几分钟）后会降至 200mA（而不是波动）、并且电感器产生的噪声会发生变化。 此时、STAT1 和 STAT2 以及 PG 被拉至低电平（至 GND）。 电感器持续升温（60 至 70 度）。 当时的 SW2：

PCB 布线不良会导致类似这样的情况吗？ 电感器和 FET 来自参考设计

您好、

是否通过波形确认了这一点？ STAT1 和 STAT2 的闪烁速度可能快于眼图所能看到的速度。 根据这些波形、充电器开始充电、然后停止充电。 这种情况不断发生。

此时、STAT1 和 STAT2 与 PG 被拉至低电平（至 GND）

PG 以前是否未被拉低？ STAT1 和 STAT2 为低电平表示充电故障。 您能通过 I2C 读取这个故障是什么吗？ 这将在寄存器 0x21 至 0x27 中。

电感器连续加热（60-70 度）

这对我来说意味着有电流流过电感器。 输入电流为 200mA。 输出电源是否有任何电流？ btw 此实例中的输出是什么？ 是电池吗？

PCB 布线不良是否会导致类似的情况？

我想说这可能是可行的、但我还没有发现 PCB 问题。 您是否尝试过使用 EVM 进行交换？

此致、
Michael

“波形是否证实了这一点？ STAT1 和 STAT2 的闪烁速度可能快于眼图所能看到的速度。 根据这些波形、充电器开始充电、然后停止充电。 这种情况不断发生。“

当输入电流降至 200mA 且充电停止时、我获取了 PG、STAT1/2 的波形：

这是发生某种充电且输入和输出电流波动时的状态引脚波形（前一条消息的前 4 个波形）：

“之前 PG 是否被拉低？ STAT1 和 STAT2 为低电平表示充电故障。 您能通过 I2C 读取这个故障是什么吗？ 这将在寄存器 0x21 至 0x27 中。“  

PG 始终被拉至低电平。 我正在尝试将其设计为在 待机模式下工作、但如果没有其他方面的帮助、我将尝试在本周读取这些寄存器。

“这对我来说意味着有电流流过电感器。 输入电流为 200mA。 输出电源是否有任何电流？ btw 此实例中的输出是什么？ “是不是有点疼?“

是的、有。 当输入电流波动时、输出电流分别在 0.5A 和 2A 之间波动 (BQ 配置为输出 1、6A)。 如前所述、当 I 将输入电压降低到 5V 至 6V 时、充电会稳定在 1.6A、但输入电流为 5A。 输出端有电池

“我想说这可能是可行的、但我还没有发现 PCB 问题。 您是否尝试过使用 EVM 进行交换？“

与 EVM 交换是什么意思？ 我尝试了 EVM、它在同一 PCB 上运行良好、只需绕过电流 BQ 充电器部分

您好、

我正在尝试将其设计为在 待机模式下工作、但如果没有其他帮助、我将尝试在本周读取这些寄存器。

很有道理。 不过、I2C 对调试很有帮助。 STAT1 和 STAT2 同时导通状态表示充电故障、但如果不访问寄存器、我不知道要查看哪一个或什么。

正如我之前提到的、当我将输入电压降低到 5-6V 时、充电会稳定在 1.6A、但输入电流为 5A。 输出端有一个电池

升压模式似乎更稳定。 此处的输出电压为 12.6、对吗？ 根据充电电流、输入端的电流应最大为 4A。 如果升压模式更稳定、我认为问题可能与电路板的 SW1 侧有关。 SW1 波形在示波器屏幕截图上看起来也不正确。 您能否检查 FET 在栅极到漏极、栅极到源极、漏极到源极之间是否存在任何短路？ 确保 BTST1 电路在此处正常工作也会有所帮助。

您指的是与 EVM 交换的意思是什么？ 我尝试了 EVM、它在同一 PCB 上运行良好、只是绕过电流 BQ 充电器器件[/报价]

我只是想说确保 IC 没有损坏或任何东西。 通过将良好的 EVM IC 与电路板 IC 进行 ABA 交换、我们可以知晓 IC 是否已损坏。

此致、
Michael

我曾尝试 通过 I2C 读取 REG0x21

我看到充电状态在“未充电“和“快速充电“之间变化。 此时没有错误。

也许我可以阅读更多寄存器来帮助您了解我的问题？

您好：

唯一被设置的故障标志是寄存器 0x27 中的过压标志。 即使未连接负载（无电池）、此故障也会持续存在

我忘记提及、但也触发了驱动电源引脚故障

过压标志将被设置、直到主机从寄存器中读取它。 是否在没有电池的情况下持续设置该标志？

DRV_SUP 故障意味着 DRV_SUP 引脚行为不正常。 您是否看到波形有任何奇怪的行为？ 在原理图中、它直接连接到 REGN、您表示 REGN 电压现在稳定在 5V。

此致、
Michael