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[参考译文] LM5137-Q1:最佳电路配置是什么?

Guru**** 2501015 points
Other Parts Discussed in Thread: LM5137F-Q1-EVM12V

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1558171/lm5137-q1-what-is-the-optimal-circuit-configuration

器件型号:LM5137-Q1
主题中讨论的其他器件:LM5137F-Q1-EVM12V

工具/软件:

尊敬的 TI 专家:

我考虑使用直流/直流降压控制器。 规格如下:

输入电压:48.0V(24 至 70V)

输出电压:15.0±0.1V

输出电流:最大值 40A

此致、

Ikuta

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    尊敬的 Ikuta:

    对于 15V/40A、如果 40A 是瞬态条件、则可能实现两相设计。 如果是稳态要求、则考虑四个相位(请参阅 LM5137F-Q1-EVM12V 示例)。

    此外、如果 Vin-max = 70V、您可以使用 80V 逻辑电平 FET(请参阅 EVM 中使用的 onsemi 系列 80V FET)。

    --

    Tim

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    尊敬的 Timothy:

    感谢您的支持。

    我在计算文档中填入了相关的数字数据。

    如果您有任何反馈或更正、我将不胜感激。

    计算基于采用两个 IC 的四相输出配置。

    此致、e2e.ti.com/.../LM5137_2D00_Q1_5F00_quickstart_5F00_calculator_5F00_revB5.zip

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    谢谢你。 我明天再看看、然后回答。

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    尊敬的 Ikuta:

    我填充了 0.5W 作为电感器磁芯损耗的估算值、从而使效率图正常运行。

    检查总 Cout 实际上是否为 141uF/ESR 正确、因为 10mΩ 较高。这会影响补偿。

    观察 FET、您应该对高侧 FET 使用较高的 Rdson、因为它现在容性过大、会提供较高的开关损耗。 此外、在 Vgs = 5V 处输入正确的 Qg。 请参阅我们 EVM 中选择的 onsemi 80V FET 示例。

    此致、

    Tim