尊敬的 Justin：

这需要大于 24V*2A=48W 的输入功率。 同样、如 https://www.ti.com/lit/pdf/sluaao7 所述 、充电器的输出电流会降低、直到电压上升到 2.5V 以上。   

此致、

Jeff

您好、Jeff  

感谢分享本应用手册  

这种方法会限制超级电容器的放电、因为放电路径来自 VSYS 我的放电请求非常高 100A PMID 引脚是否支持更高的电流？

插入充电器时、PMID 上的电流限制是多少？ 是否与充电电流相同？

因此、我可以从 以下器件中使用、并直接从 CAP 引脚对负载进行分接、从而不受放电限制  

尊敬的 Justin：

“我不会介意的,我想要的只是要和你在一起。“ 我可以检查 PMID 电流限制、但它不会是 100A。 这会损坏器件。

对于 BQ2575X 系列器件、可以为电容器充电、并直接向电容器放置负载。 您还可以使用 BQ25750 的电源路径功能、通过背对背 MOSFET 将电容器与负载分离、并在需要时导通这些 MOSFET。

此致、
Michael

您好、Michael  

感谢您的答复  

关于 Jeff 提供的应用手册、有另一种充电器可以支持通过正确写入寄存器来进行充电、即使是从较低电压  进行充电。是否有一个软件电阻器序列可用于执行此操作  

“与许多充电器不同、具有外部 FET 的 BQ25713/30 系列降压/升压充电控制器不提供涓流充电。 此外、即使是 NVDC 充电器、BQ25713/30 也具有 I2C 寄存器、允许用户禁用最小系统电压、从而实现预充电阶段和 BAT 引脚短路保护。 在禁用最小系统电压的情况下、初始充电期间 BATFET 两端的电压将最小化。“

尊敬的 Justin：

在 BQ25730 上、我认为 EN_LDO 位关闭时将允许在低电池电压下产生满电流。

此致、
Michael

您好、Michael  

感谢您的回答  

当 Vbus 插入且电池电量完全耗尽时 SRN –0V 此器件是否支持浪涌限制？

尊敬的 Justin：

该器件将调节通过转换器流向输出端的电流。 这样应控制输出端的电流、而无需限制任何浪涌。

此致、
Michael

你好 Michael、

感谢您的答复  

在使用蓄电池充电器充电之前、我是否可以从 0V 开始充电或仍需要使用另一个电路使电压稍高？

当我们启用  EN_LDO 低电池充电时、 充电电流为 384mA、直到电压低于欠压阈值？

或者 当我的电容电压为 0 时,可以用 4s 配置以更高的电流充电 ,

对于 4S 配置、充电电压是否可以限制为 20V?20.224？

尊敬的 Justin：

在使用电池充电器为电池充电之前、我是否可以从 0V 电压充电或仍需要使用另一个电路使电压稍高一些？

您可以使用此器件从 0V 开始充电。

当我们启用  EN_LDO 低电池充电时、 充电电流为 384mA、直至电压低于欠压阈值？

当您设置 EN_LDO=1 时、充电电流将钳位在 384mA、直到电压高于 VSYS_MIN。 如果设置 EN_LDO=1、充电电流是由 ChargeCurrent 寄存器 (0h02-0h03) 设置的标称充电电流。

[引述 userid=“572473" url="“ url="~“~/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1552308/bq25798-bq25798rqmr-for-electrolytic-capacitor-charging-with-constant-current-of-2a/5988393

或者 当我的电容电压为 0 时,可以用 4s 配置以更高的电流充电 ,

对于 4S 配置、充电电压是否可以限制为 20V?20.224？

[/报价]

是的、当电容电压为 0 时、BQ25730 可以在更高的电流下充电

是的、可以使用 BQ25730 将充电电压设置为 20V

此致、
Michael

您好、Michael

感谢您的回答  

输入功率限值  

我的 VBUS 可以是 5V 900mA 或 15V、因为器件可以限制电流。是否可以对主机的输入限制进行编程？ 那么每次启用充电时、都可以根据可用功率设置限值。 它是这样工作的、还是由硬件根据编程的限值进行管理  

您好 Michel、

感谢您的回答,还有一个问题

BAT 电压可充电至 23.2V 的最大值是多少？ 如 5 节或 5 节串联电池  

此外,这个 MOSFET 是禁用 SYS 时不需要从 BAT 放电到 Sys 是正确的.

假设我从 Bat +Ive 端子点击电源、因此电池和负载都由电源提供、因此 BAT 到 SYS 路径控制通过 FET（sys 和 bat 是相同的）

现在仍需要此系统隔离吗？ 如果我不需要隔离蝙蝠或它也是为了背流保护?

尊敬的 Justin：

这是 TI 的美国假日。 我会仔细研究一下、明天再回来。

此致、
Michael

尊敬的 Justin：

根据 “ChargeVoltage 寄存器 (I 2C 地址= 05h)“、最大充电电压看起来约为 32.5V。

MOSFET 用于保护电池免受系统电压的影响。 这使得转换器能够在电池深度放电时调节最低系统电压。 如果不需要系统电压、可以去除 SYS 隔离。 您可以通过 EN_PORT_CTRL 位禁用对该 MOSFET 的控制。

此致、
Michael

您好、Michael  

这个输入有点令人困惑  

如果我设置所有位是、最高可以是 32.7  

在数据表中、它说任何低于 1.024 和 23 的值都会被忽略、因为我之前提到过、我计划从零开始充电、因为它用于为电解电容器充电  

尊敬的 Justin：

是的、则最大值为 23V。

此致、
Michael

您好、Michael  

它支持从零开始充电的最低电压如何？  

当 BAT 节点 (SRN) 低于 VSYS_MIN 设置时、BATFET 以 LDO（线性）模式运行、并且充电器会钳制充电电流、因此不会产生巨大的浪涌。 ≥≈2 节电池配置、钳位为 Δ V 384mA；一旦 VBAT 升至 VSYS_MIN 的~100%、充电器就会离开 LDO 并进入正常的 CC/CV 快速充电状态。

通过禁用 EN_LDO 位、我在此阶段是否需要浪涌保护以使 ECAP 电压高于 VSYS 最小值？

尊敬的 Justin：

您应该能够充电到从 0 开始的任何电压。 禁用 EN_LDO 将忽略 VSYS_MIN 设置、并且器件将使用满充电电流并在从 0 开始的整个电压范围内实现正常的 CC/CV 快速充电。 CC 模式将避免浪涌、因为电流将被钳位在 CC 值。

此致、
Michael Bradbourne