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器件型号：LM7480-Q1工具/软件：
您好：
我们将尝试在我们的系统中使用 LM74800QDRRRQ1、尤其是用于提供浪涌电流能力。
看到的输出电容约为 2000uF、我们尝试将电流限制在 4A 以下、因此根据数据表中 Cdvdt 的 27nF 计算结果似乎是合理的。
测试（简单地连接我们的第二个包含更大电容的电路板）后、我们发现连接到 HGATE 的 MOSFET Q5 短路（漏极到源极）
我们将 Cdvdt 增加到 0.47uF、并将串联电阻从 100 Ω 增加到 47K Ω
系统正常运行并且 MOSFET 未短路。
我们认为、由于第一个设置中的高电流、MOSFET 超出了其 SOA 范围（但我们没有通过图表或深度计算确认）
我们主要有 4 个问题：
1.将 Cdvdt 增加到更高的值（如 0.47 μ F、甚至 1uF）会对芯片产生负面影响
2.从串联电阻到 Cdvdt 的附加值是多少（在我们的情况下, 100 欧姆变为 47K 欧姆）?更高的值是否会导致芯片问题?
3.通常为了使 MOSFET 缓慢导通、应在栅极和输出侧之间连接电容、但在数据表中、它连接到 GND、我想验证该侧是否没有问题。
4. Cdvdt 的额定电压应该是多少? （是 HGATE 和 OUT 之间的电压还是 HGATE 和 GND 之间的电压都高得多？）
感谢您的合作与支持。
