[参考译文] BQ25750：REGN 卡在低于 1 伏的电压下

您好、Phil、

感谢您的研究。 我有几个测试建议来诊断 REGN 是否处于低电平：

• REGN 是否会耗尽电力？
• REGN 短接至 DRV_SUP、对吗？
• 您能否使用示波器测量 REGN？
• 是否有任何问题可能损坏 IC？
• 您能给我发送您所使用的 FET 和电感器的器件型号吗？

顺便说一下、BTST 电容器应该为 100nF。 我还建议安装一个与 ICHG 电阻器并联的 RC 滤波器。 我们建议在该电阻大于 5kΩ 时使用该电阻。 您可以在此处使用 EVM 作为参考。

此致、
Ethan Galloway

尊敬的 Ethan：

感谢您的及时回复。

>是否有任何问题会耗尽 REGN 的电力？
原理图中的内容（TS 电阻梯和 DRV_SUP 电路）

> REGN 短接至 DRV_SUP、对吗？
没错

> 是否可以使用示波器测量 REGN？
是的、我看到它在输入变为 20V 后大约 40 毫秒上升到 250mV。  它会在 250mV 下保持稳定、直到 输入关闭

> 有没有损坏 IC 的机会?
除非我的设计出问题、否则我不认为。  I2C 以及 ACDRV 和 BATDRV 部分似乎正常工作。

> 您可以向我发送您所使用的 FET 和电感器的器件型号吗?
Q6、Q7、Q8、Q9 使用 SIR880BDPT1RE3
Q4、Q5、Q10、Q11 使用 PSMN3R060B
L4 是 IHLP6767GZER100M01

>  BTST 电容器应为 100nF
嗯… 数据表图 9-1 中显示的典型应用显示 47nF。  这是过时的吗?

再次感谢您的帮助

Phil

您好、Phil、

感谢您提供新信息。

数据表图 9-1 中显示的典型应用为 47nF。  这是否过时？

电容器应为 100nF。 我将在将来尝试更新此内容。

BQ25750 尝试充电时、您是否可以测量以下引脚电压？

• VAC
• VBAT
• SRN
• DRV_SUP
• TS
• ACUV

此外、充电器中是否设置了任何其他状态或标志寄存器？

此致、
Ethan Galloway

以上是引脚电压。  接下来查看状态/标志寄存器

以下是我可以找到的所有状态和标志寄存器值（其余值似乎仅用于控制，并且由于我不会编写它们，应设置为其默认值）。  和设置电源正常标志之前一样、 DRVSUP 超出范围标志也是如此

20：51：33.188 -> 0x17：0xc9

20：51：33.188 -> 0x1F：0x0

20：51：33.188 -> 0x21：0x8
20：51：33.188 -> 0x22：0x80
20：51：33.188 -> 0x23：0x2
20：51：33.188 -> 0x24：0x2
20：51：33.188 -> 0x25：0x0
20：51：33.188 -> 0x26：0x0
20：51：33.188 -> 0x27：0x0

如果我错过了一些可能有帮助的信息、请告诉我

此致、
Phil

您好、Phil、

感谢您提供新信息。

我还有几个测试问题：

• 如果可能、可以在电路板上断开 REGN 与 DRV_SUP 的连接吗？ 然后、REGN 是否出现？
• 在示波器上、您是否在 SW1 或 SW2 上执行任何开关操作？
• 如果更换 IC、REGN 是否会出现？ 我认为这将是这里最有用的测试。
• 如果您为 DRV_SUP 提供 5V 电压、该电路会怎么做？ 顺便说一下、这可能会对电路进行危险的测试。 如果您有快速更换 IC 的方法、我才推荐您使用这种方法。

此致、
Ethan Galloway

尊敬的 Ethan：

> 如果您的电路板上可能,您可以断开 REGN 与 DRV_SUP 的连接吗? 然后、REGN 是否出现？
很遗憾、没有  焊盘在芯片下方的铜层中连接

> 如果你更换 IC ,那么 REGN? 我认为这将是这里最有用的测试。
我同意、移除并保持焊接这种芯片有点困难。  我想知道焊点不良是否是原因所在。  我已目视检查、所有接头看起来都正常、但大部分垫都隐藏在下面。   如果未连接特定 PIN、是否有可能导致此类症状的特定 PIN？  我可以尝试参考这些内容、看看它是否有帮助

> 在示波器上、您是否在 SW1 或 SW2 上执行任何开关操作？
否、它们都稳定在 1.4V

谢谢、
Phil

您好、Phil、

> 如果您替换 IC、那么 REGN 是否会出现？ 我认为这将是这里最有用的测试。
我同意、移除并保持焊接这种芯片有点困难。  [/报价]

更换芯片确实是一项挑战。 对芯片进行回流焊可能更容易进行测试、以检查是否有不良的焊点。

如果未连接、是否有可能导致此类症状的特定 PIN？  [/报价]

大多数时候、当我看到类似这些症状时、要么 IC 已损坏、要么 FET 已损坏。

> 在示波器上、您是否对 SW1 或 SW2 执行任何切换操作？
否、它们都稳定在 1.4V

[/quote]

也可以测量 HIDRV 和 LODRV。

另外、您是否知道 IC 的静态电流是多少？ 检查此电流是一种尝试检查是否存在损坏的元件的方法。

此致、
Ethan Galloway

[/quote][/quote]

> IC 的静态电流是多少？  

我测量进入 VSink 的 50mA、输出 SYSPWR 上具有 1k Ω 负载。  在输出端无负载的情况下、我看到 30mA 正在消耗

以下是我测量的所有引脚 28 到 19（所有都是稳定电压）

SW1 = 600mV

HIDRV1 = 340mV

BIST1 = 320mV

LODRV1 = 0

REGN = 280mV

DRV_SUP = 280mV

PGND = 0

LODRV2 = 0

BIST2 = 310mV

HIDRV2 = 320mV

现在不知道 SW1 为什么不同。  我检查了 SW2 和它的 600mV。

作为一个实验、我用新的器件建立了一个新的电路、但只使用了我认为激活 REGN 需要的器件。  请参阅随附的原理图。  以紫色突出显示的器件未组装。

我给它上电时、REGN 或 SYS 上没有电压。  此外、没有汲取可测量的电流 (1mA)。   我从 I2C 读取以下寄存器值：

18：39：08.067 -> 0x1F： 0x0

18：39：08.067 -> 0x21：0x8  

18：39：08.067 -> 0x22： 0x0

18：39：08.101 -> 0x23： 0x0

18：39：08.101 -> 0x24： 0x0

18：39：08.101 -> 0x25： 0x0

18：39：08.101 -> 0x26： 0xe0

18：39：08.101 -> 0x27： 0x0

18：39：08.101 -> 0x17： 0xc9

似乎表明未设置电源正常标志。  我对 VAC、ACUV 和 ACOV 进行了界定、并得到了预期的 20V、20V 和 0V。   是否有其他因素会导致不设置电源正常标志？

此致、
Phil

尊敬的 Phil：

电源正常标志会检查 ACUV 的有效工作窗口与 ACOV 之间的电压。 我不知道这个旗帜还有另一个条件。 如果有一个、则可能与 REGN 有关、这意味着它是问题的症状、而不是原因。 由于最初设置了电源正常状态、因此我认为情况并非如此。

从电源正常状态变为现在不是电源正常状态、并且 SYS 上没有电压、这使我认为其他方面发生了变化。 构建新电路时、您是否解决了任何问题？ 这可能是电源未到达 VAC 引脚的问题。 这将需要开启 ACFET。

此致、
Michael

> 当你建立新的电路,你解了什么?
是的、我在新 PCB 上使用了所有新器件

我在 VAC 焊盘上测量到 20V 电压、并且焊点看起来正常。   芯片是否从任何其他引脚供电？  我假设 I2C 正常工作、因此它必须在 VAC 上供电、但可能来自其他地方？

此致、
Phil

您好、Phil、

IC 从 VAC 或 SRN 接收功率（SRN 从电池获取电源）。

考虑到这一点、IC 是否可以通过 I2C 仅使用电池或仅使用 VAC 进行通信？

此外、您还可以测量 SYS 上的电压吗？

此致、
Ethan Galloway

谢谢 Ethan、

我在最新电路中未连接电池、因此 I2C 必须从 VAC 供电

SYS 引脚读数为 0V

此致、
Phil

您好、Phil、

感谢您的更新、感谢您对这种行为的耐心。

如果跨 ACFET 短路、电路行为是否会发生变化？

此外、CE 是否被拉至低电平？

此致、
Ethan Galloway

谢谢 Ethan、

是、CE 引脚连接到 GND。  ACFET 之间的短路我看到输出 SYS 电平按预期变为 20V、但 REGN 保持关闭、I2C 寄存器保持不变。

通信中断。  0x26 是否应该为 0xe0？   如果我正确读取数据表、这表明 检测到 PG 信号切换、检测到 ACFET 信号切换和检测到 BATFET 信号切换。  这是否意味着电源正常短暂地为真？

您好、Phil、

感谢您耐心观看所有这些调试。

0x26 是否预计为 0xe0？

该寄存器在启动时为 0x00。

这是否意味着电源正常短暂地为真？

我觉得这让这个问题很奇怪。

我有几个问题可以帮助进行调试：

• 能否拆焊 BATFET？ 我认为这将使测试更容易、因为使用的变量将更少。
• 电路是否在反向模式下工作？
• 这可能与当前的行为无关、但您为 BTST 二极管使用什么二极管？

此致、
Ethan Galloway

这些二极管为 V1FM10-M3/H（我的简化测试中当前未安装）。

我会尝试你的其他建议,当我从下周度假回来.

此致、
Phil

您好、Phil、

感谢您的研究。 请告诉我们您的发现。

此致、
Ethan Galloway

尊敬的 Ethan：

我尝试移除 BATFET (Q10 和 Q11)、但获得了相同的结果

12：36：21.533 -> 0x1F：0x0
12：36：21.533 -> 0x21：0x8
12：36：21.581 -> 0x22：0x0
12：36：21.581 -> 0x23：0x0
12：36：21.581 -> 0x24：0x0
12：36：21.581 -> 0x25：0x0
12：36：21.581 -> 0x26：0xe0
12：36：21.581 -> 0x27：0x0
12：36：21.581 -> 0x17：0xc9

即未设置电源正常状态

能否提供有关如何使用电流电路测试反向模式的更多详细信息？

此外、我想知道是否有任何可以写入的 I2C 寄存器可以帮助调试该问题？  或者我们可以读取的任何无文档记载的寄存器？

谢谢、
Phil

您好、Phil、

感谢您对此有耐心。

您能提供有关如何使用当前电路测试反向模式的更多详细信息吗？

要测试反向模式、我建议将 ACUV 引脚拉低并使用大约 10V 的电池电压。 您可以对电池使用常规直流电源。 然后、写入 EN_REV = 1 应激活反向模式。

要加载充电器、您可以在 CC 模式或 CR 模式下使用常规电子负载。

另外、我想知道是否有任何可以编写来帮助调试此问题的 I2C 寄存器？

您手头有 USB2ANY 或 EV2400 吗？ 这不会解决充电器的行为、但会使设置寄存器和读取寄存器更容易。

我不确定还有任何其他有用的寄存器可供测试。 设置 EN_TERM=0 和 EN_PRECHG=0 是否会导致电路充电？

本周晚些时候、我将尝试向您提供更多信息。

此致、
Ethan Galloway

尊敬的 Ethan：

我想我在这方面取得了一些进展。  我的简化电路似乎实际上是导致电源正常问题的原因。  我在 SRN 和 SRP 上添加了分流元件、现在可以使电源正常变为高电平、REGN 正常且启用充电。  这是 I2C 寄存器

18:04:22.109 -> 0x1F:  0x0

18:04:22.109 -> 0x21:  0x9  => WD timer expired + Trickle charge

18:04:22.109 -> 0x22:  0x80 => Power Good

18:04:22.109 -> 0x23:  0x2  => ACFET on

18:04:22.109 -> 0x24:  0x0  => No faults

18:04:22.109 -> 0x25:  0x49 => Device entered current regulation + WD Flag + Charge state changed

18:04:22.109 -> 0x26:  0xc0

18:04:22.109 -> 0x27:  0x0

18:04:22.157 -> 0x17:  0xc9 => Default

I then repopulated the rest of the circuit but now it looks like it's going immediately into thermal shutdown:



10：31：09.756 -> 0x21： 0x8 => WD 且未充电

10：31：09.756 -> 0x22： 0x0 =>电源不正常

10：31：09.804 -> 0x23： 0x0

10：31：09.804 -> 0x24：0x8 =>热关断

10：31：09.804 -> 0x25：0x8 => WD 上升沿

10：31：09.804 -> 0x26： 0xe0

10：31：09.804 -> 0x27： 0x28 =>电池过流、热关断

10：31：09.804 -> 0x17： 0xc9

我将再次检查我的工作是否有错误、但您能建议任何可能的原因吗？

此致、
Phil

我发现 SRP/SNP 滤波器中的 10 欧姆电阻测量值现在大于 500 欧姆。  我猜由于某种原因、大量电流损坏了它们。  我尝试将它们与其他滤波器元件一起替换、但在 I2C 上仍然可以获得相同的结果。  我怀疑芯片已损坏。

  我可以看到 10 欧姆电阻器承载大量电流的唯一故障情况是分流电阻较高、但读数仍然小于 100m Ω（这是我仪表的限值）。

移除滤波器元件后、我注意到 SRN 或 SRP 与 GND 之间的电阻现在为~20 欧姆。  在新芯片上检查时、我看到 SRN 或 SRP 与 GND 之间的电阻为无穷大。  我怀疑损坏电阻器的同一事件也损坏了芯片。

我已经再次查看了该设计、但我无法解释是什么原因导致大电流通过电池电流检测电路。  对于如何安全地测试此项、您有什么想法吗？

谢谢、
Phil

您好、Phil、

感谢您提供新信息。 很高兴听到您现在收到了电源正常信号。

对于您的测试、我有几个问题：

• 您的输入和输出电压设置是什么？
• 充电电流设置是什么？
• 您的电池输出是否有负载？

我发现 SRP/SNP 滤波器中的 10 欧姆电阻的测量值现在大于 500 欧姆。  我猜,由于某种原因,大量的电流损坏了他们。[/报价]

当足够高的电流流经电池电流检测电阻时、会损坏 SRN 和 SRP 10Ω 电阻器。 如果流经检测电阻的电流大于 100A、则检测电阻上的电压会导致电压流过 SRN 和 SRP 电阻、然后流过 IC 本身。 此后 IC 很可能损坏。

如果 BATFET 在 FET 上存在大电压时导通、这种情况最常见。 我们提供了有关 BQ25750 电源路径切换的常见问题解答、可能会对此有所帮助。

您是否对如何安全地测试此项目有任何想法？

我建议在输入和输出电压低于 25V 的情况下进行测试。 如果您已经通过这种方式进行了测试、请告诉我。

此致、
Ethan Galloway

[/quote]

>您的输入和输出电压设置是什么？
我不确定您的设置含义、但我使用的是 20V 输入和 25.2V（标称值）电池。

> 充电电流设置是什么?
我目前 在 ICHG 至 GND 上使用 200K 来提供 250mA 最大充电电流。  我还在 ILIM_HIZ 上有 3、9K、可将输入限制为 5A

> 您的电池输出有负载吗?
编号  您推荐一个吗？  那么、您会推荐什么？

看一下常见问题解答

如果您认为 25.2V 是个问题、我可能会使用电压较低的电池进行测试。

谢谢、
Phil

我在查看演示板时发现、电池分流电阻器（物理上）比我使用的分流电阻器大得多。  我根据预期充电电流小于 1A 调整了我的尺寸 、因此演示板上的功率只有 1/8W 与 5W。   我猜高浪涌电流对我的小电阻来说太大、它上的电压尖峰足够高、可以损坏其他元件。

我查看了数据表、但没有看到感测电阻的建议最小额定功率。  建议的尺寸是 5W 吗？

此致、
Phil

您好、Phil、

我查看了数据表、但没有看到感测电阻的建议最小额定功率。  为 5W、建议尺寸

我建议使用更大的检测电阻。 不过、请记住、这里选择了 5W 检测电阻来处理 20A 的最大电流。 您可能不需要这个尺寸的电阻器。

我不确定您的设置含义、但我使用的是 20V 输入电压和 25.2V（标称值）电池。

这是信息。 我一直在寻找。 谢谢。

> 电池输出上是否有负载？
编号  您推荐一个吗？  您会推荐什么？

我不建议使用另一个负载。 电池已经作为充电器的负载运行。

您可能会考虑的一项测试是从电路中移除 BATFET。 这样您就可以隔离浪涌电流是否来自 BATFET 导通。

此致、
Ethan Galloway

尊敬的 Ethan：

我使用新的 5W 分流器又构建了两个充电电路。  除 BAT FET 外、所有元件均已安装。

在这两种情况下、都设置了电源正常状态、但在第一种情况下、电池充电电流远高于本应的值 (2.2A 与 500mA 相比、ICHG 电阻器= 100K)。  无论是否在 ICHG 电阻器上使用滤波器、我都会获得相同的结果。  以下是本例中的寄存器：

21：16：00.117 -> 0x1F： 0x0

21：16：00.117 -> 0x21： 0xb => WD、快速充电

21：16：00.117 -> 0x22： 0x80 =>电源正常

21：16：00.117 -> 0x23： 0x2

21：16：00.117 -> 0x24： 0x0

21：16：00.117 -> 0x25： 0x0

21：16：00.117 -> 0x26： 0x0

21：16：00.117 -> 0x27： 0x0

21：16：00.117 -> 0x17： 0xc9

在第二种情况下、没有充电电流、并且出现电池过压故障。  我尝试了为 FB 测量电压、发现这种电压通常是正常的  

1.42V、周期性短暂尖峰达 2.6V。  以下是本例中的寄存器：

23：20：30.790 -> 0x1F： 0x0

23：20：30.790 -> 0x21：0x8  

23：20：30.790 -> 0x22： 0x80 =>电源正常

23：20：30.836 -> 0x23： 0x2 => ACFET 开启

23：20：30.836 -> 0x24： 0x10 => VBAT OV 故障

23：20：30.836 -> 0x25：0x49  

23：20：30.836 -> 0x26： 0xe0

23：20：30.836 -> 0x27： 0x12 => VBAT OV 故障、检测到 DRV_SUP 引脚故障  

23：20：30.836 -> 0x17： 0xc9

您是否知道这两种情况的原因是什么？

此致、
Phil

您好、Phil、

奇怪的是、您的两个电路板都有不同的行为。

对于第二块电路板、如果将 FBG 引脚短接至 GND 会发生什么情况？

而且、我现在已经很熟悉了、我将在本周晚些时候尝试更详细地回答您的问题。

此致、
Ethan Galloway

我尝试将 FB 短接至 FBG、但这让魔法在几秒钟后从芯片中冒出来。  尽管故障似乎没有发生。  状态 1 短暂闪烁、而状态 2 关闭、表示在停止之前尝试充电。

我在第一块电路板上观察了电池分流器的电压、23V-35V 电压范围内、具有大约 12V  的峰峰值高频噪声、集中在大约 28V 的电压。   

我观察了 ICHG 上的电压、发现了一个有噪声的锯齿、峰值约为 1.5V、下冲振铃低至–1V。

我的电路似乎有很多噪声。  我注意到演示板有很多额外的帽。  这可能是问题吗？

除了 VAC 输入端的 1uF 外、该演示板还具有 100nF。  我还注意到 2.2uF 滤波器？ 在 VAC 上、演示中有一个 10 欧姆的串联电阻、但我的电阻为 2 欧姆。  我不确定这个滤波器的用途是什么？  2 欧姆会有问题吗？

我们非常感谢任何其他建议或尝试的东西。

您好、Phil、

我不建议这样做。 这将指示 IC 输出尽可能高的电压、以尝试提高 FB 引脚的电压。

我在第一块电路板上确定了电池分流器的电压范围、它在  23V-35V 电压下具有大约 12V 的峰峰值高频噪声、集中在大约 28V[/报价]

这不好。 您能否发送电路板的布局布线/图片、以便我们了解电池电流检测电阻所安排的电容器布局？ 测量电池分流器处的电压时、是在 SRN / SRP 处测量还是在电池分流器本身测量。

此致、
Ethan Galloway

您好、Phil、

我还注意到了 2.2uF 过滤器？ 在 VAC 上、演示中有一个 10 欧姆的串联电阻、但我的电阻为 2 欧姆。  我不确定这个滤波器的用途是什么？  2 欧姆是否会有问题？

该 RC 滤波器有助于防止热插拔。 它可能不会对您的电路产生太大影响。

我认为这可能是由于低电容或布局问题造成的。 您能给我们发送您的布局以便我们查看吗？

此致、
Ethan Galloway

谢谢 Ethan、

以下是我们设计的正面和背面铜层相关部分的屏幕截图。   

请告诉我您是否更喜欢层的 PDF 或其他格式。

此致、
Phil

在此期间、您能否建议我应该尝试添加哪些上限、看看他们是否有所帮助？

您好、Phil、

您能给我发送布局的 PDF 吗？ 这将帮助我更好地看到电路。

由于电池分流器上的电压纹波太大、我怀疑电流检测电阻器上有问题。 但我在您的原理图上找不到它们。 是否对电流检测电阻使用了开尔文检测点？

此外、确保将 HIDRV 布线布置在靠近 SW 布线的位置、并将 LODRV 布线在靠近 GND 或接地平面的位置。 SW 是 HIDRV 的返回布线。

您能建议我应该尝试添加哪些大写字母来查看它们是否有帮助吗

我建议首先增加电池电流检测电阻周围的电容。

您还能给我发送您看到的波形吗？

此致、
Ethan Galloway

下面是顶层和底层、分别为 PDF。  希望这更容易理解。
e2e.ti.com/.../3phase_2D00_F_5F00_Cu.pdfe2e.ti.com/.../3phase_2D00_B_5F00_Cu.pdf

以下是 电池分流器处电压的示波器屏幕截图

>  是否为电流感应电阻器使用开尔文检测点？
是的。  用于电池检测的输入分流器为 R72 和 R60

我尝试在 VBATT 处添加一个与 1uF C74 并联的额外 10nF 和 100nF 电容器、但我没有看到任何改善。

在分流器的另一侧添加 4.7 μ F、10 μ F、10nF 和 100nF 与 1uF C73 并联、结果也没有改善

请告诉我、您是否认为我应该增加更多大写字母、或者是否有不同的值会有所帮助。

此致、
Phil

您好、Phil、

感谢改进的文件。 我会回顾一下布局、下周再见。 感谢您对此有耐心。

此致、
Ethan Galloway

非常感谢您对 Ethan 的所有帮助。

您好、Phil、

感谢您对此有耐心。 以下是我对布局的建议：

• 将 SWx 和 HIDRVx 布线彼此靠近布置。 SW 是 HIDRV 的返回布线。
  • 同样、LODRV 布线应靠近 GND 布线。 请勿将 HIDRV 布线布置在靠近 LODRV 布线的位置。 这可能会导致信号泄漏到另一个迹线。
  • 我不建议将 LODRV2 直接布线到电感器下方。 您可能需要将该布线移至 PCB 底部或电感器一侧。
• 您能否使电感器焊盘更大、并将 SW 布线连接到更靠近电感器焊盘的位置？ IC 使用 SW 布线来测量电感器两端的电压。
• 我不确定我是否之前提到过这一点、但 BTST 电容器的大小需要为 100nF。
• 我看到 REGN/DRV_SUP 连接到远离 BQ25750 的布线。 该迹线也会转到哪里？
• 我建议对电池电流电阻器使用开尔文检测布线。 这将提高充电电流精度。
• IC 应在靠近 VAC 引脚的位置放置电容器。 您知道这个电容器在哪里吗？ 我找不到。
• 您可能希望使主电源布线（如 VAC、VBAT 或 VSYS）大得多。 这将减少布线的电阻和电感、并减少电路中的潜在振铃。 您可能还需要在此处使用多边形而不是布线。
• 对于高功率元件、我不推荐使用散热焊盘。 以 C61 为例、我建议使用更粗的接头连接 Q5 的漏极、并使用更粗的接头连接到 GND。

这是 BQ25750 的布局和原理图检查清单、仅供参考。

此致、
Ethan Galloway

尊敬的 Ethan：

为了进行澄清、当您使用开尔文检测布线时、 您是否指 对分流器的检测线路使用差分对、并将滤波器元件移至更靠近 SRP/SRN 引脚的位置？

您好、Phil、

您是否指 对分流器的检测线路使用差分对、并将滤波器元件移至更靠近 SRP/SRN 引脚的位置？

是的、正确。

此致、
Ethan Galloway

尊敬的 Ethan：

另一个问题： 我的设计目前是 2 层、所有元件都在顶层、底层主要是接地层。   我是否需要专用接地平面才能实现稳定运行？

您好、Phil、

如果 IC 布线良好且底层主要用于 GND、则 IC 可通过 2 层实现稳定。

您不需要 3 层或 4 层、但充当接地平面的额外层可简化 IC 布线。 更高层的电路板还可用作散热器、并减少电路板散热。

此致、
Ethan Galloway

尊敬的 Ethan：

在对布局等应用您的建议更改后、我一直在测试我们的新电路板  一切都运行良好 — 流入电池的充电电流是预期的 700mA、电池和 REGN 电压也良好。  状态引脚指示它处于充电模式。  在充电停止之前、这种情况持续了一个多小时而没有变化、并在状态引脚上指示充电故障。  据我所知、没有触发故障的外部事件。  所有组件的温度都是凉的或只是略热的触摸。

我已尝试循环输入电源、它会开始充电几秒钟、然后返回到故障状态。  我也注意到 REGN 电压现在有了极大的噪声（启动时这是一个相当干净的 5V）。

您是否知道这可能是什么原因造成的？  如果您对尝试的事情有任何建议、请告诉我。

此致、
Phil