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器件型号：UCC27712工具/软件：
您好：
我正在使用 UCC27712 采用的半桥配置的栅极驱动器 Infineon IMTA65R033M2H SiC MOSFET 。
在数据表中、我看到了两条有关 VDD 电源电压的信息：
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在建议运行条件中：
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10V 至 20V 常见设计
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10V 至 17V 驱动电阻器
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在“绝对最大额定值：
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VDD 电源电压高达 24V
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我最初选择的应用的器件 20V 对于辅助电源、主要是为了进一步降低 MOSFET 的 RDS (ON)、因为使用我们的电源策略生成 20V 电压比生成 18V 或 15V 电压更简单、更方便。 但我现在意识到、数据表明确将推荐的 VDD 限制为 对于 MOSFET、为 17V 。
我的问题：
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是否可以操作 UCC27712 VDD = 20V 栅极驱动器拓扑等 SiC MOSFET 时、会发生什么变化？
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如果不推荐、您能否澄清超过 17V 时的主要风险或故障机制（例如驱动器可靠性，输出级应力）？
- 如果我使用外部浮动电源而不是自举二极管、建议使用哪种电容器值 vb. 和 VS ？ 我是否需要添加其他内容等？
您可以在下面的原理图中找到我们的元件缩写值。
感谢您的支持！
此致
