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器件型号：UCC25661主题中讨论的其他器件：UCC25660、
工具/软件：
尊敬的先生：
TI 何时会发布 UCC25660 和 UCC25661 的仿真模型？
谢谢。
尊敬的先生：
请参阅下图、
Ch1：低侧 MOSFET Vgs、Ch2：高侧 MOSFET Vgs、
您能帮助检查一下有效占空比为何如此小？
我还上传 ucc256612 参数的 Excel 文件。
e2e.ti.com/.../UCC25661x_5F00_Design_5F00_Calculator_5F00_Rev2.0.xlsx
尊敬的 JCHK：
Vin：400V、OUT：50V/4A 稳态。
图片 1：CH2：高侧 VGS、 CH4：高侧 VDS
Picture2：CH2：低侧 VGS、 CH4：低侧 VDS
脉冲宽度约为：1.2us
我还发现了 Vout 的过冲、您能帮助检查吗？
尊敬的 JCHK：
正如我们前面讨论过的
Ch1：低侧 MOSFET Vgs (Ho)、Ch2：高侧 MOSFET Vgs (Lo)、
占空比约为 30%~40%@ Vin：400V、out：50V/4A 稳态。
因此、占空比很小、但我不知道原因。
您好、Marco、
LO 和 HO 脉冲在正常且是谐振所需的相同持续时间内开启。 您正在查看的是死区时间、这是使谐振回路中的电流反转所需的死区时间、因此下一个开关周期可以是 ZVS（零电压开关）。
这有道理吗？
尊敬的 JCHK、 JCHK
这正是我的好奇之处——为什么死区时间如此之大?
如何验证死区时间值是否正确？
我想缩短死区时间、因为占空比太小、这会导致电压利用率降低并阻止 LLC 在预期的谐振频率下运行。
最初、我认为较小的占空比是由 ZCS 保护功能引起的、但根据实际测量值、情况似乎并非如此。
您能否提供更多方法来帮助我确认占空比是否确实太小？
这在设计中可能是一个严重的问题。
黄色为:V_iSNS
绿色是: VGS 的高侧 MOSFET
谢谢。
您好、Marco、
最大死区时间为 1us。 这是通过查看 HS 引脚上的压摆率来确定的自适应死区时间。 如果达到最大死区时间、开关级的 COSS 可能过大。 请参阅第 8.2.2.12 节：
这意味着您的 LI2 能量需要大于 COSSV2 能量。
您能否试用具有较低 COSS 的 FET、看看它是否有所帮助？
此致、
John
