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[参考译文] CSD25310Q2:需要 P2P 替换建议

Guru**** 2519660 points
Other Parts Discussed in Thread: CSD18541F5, CSD17585F5, CSD25485F5

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1564103/csd25310q2-need-p2p-replacement-suggestion

器件型号:CSD25310Q2
主题中讨论的其他器件:CSD25485F5、CSD17585F5、CSD18541F5

工具/软件:

尊敬的团队:

请允许我帮助您检查 TI 是否为以下竞争产品提供引脚对引脚解决方案?

AP2305GN

AP2318GEN

AP2305AGN

RK7002BM

谢谢。

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Peter、

    感谢您的查询。 所有这些 FET 都采用 SOT-23 封装、TI 不为此封装制造任何 FET。 我们的推荐(非 P2P)交叉参考:

    • AP2305GN –20V、65mΩ P 沟道 FET:CSD25485F5 –20V、42mΩ P 沟道 FET、采用 F5 FemtoFET 封装。 与同类竞争产品相比、导通电阻更小、漏电流更低。
    • AP2318GEN 30V、33mΩ N 沟道 FET:CSD17585F5 30V、33mΩ N 沟道 FET 采用 F5 FemtoFET 封装。 与同类竞争产品相比、导通电阻更小、漏电流更低。
    • AP2305AGN –30V 54mΩ P 沟道 FET:无交叉 — TI P 沟道 FET 的最大电压达到–20V
    • RK7002BM 60V、2.4Ω N 沟道 FET:CSD18541F5 60V 75mΩ N 沟道 FET、采用 F5 FMotFET 封装。 与同类竞争产品相比、导通电阻更小、更低。

    如果您有任何问题、请告诉我。

    此致、

    约翰·华莱士

    TI FET 应用

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    尊敬的先生:

    感谢您的建议。