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[参考译文] LM5146-Q1:在空载条件下器件和 MOSFET 会变热

Guru**** 2535750 points
Other Parts Discussed in Thread: LM5146-Q1

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1564074/lm5146-q1-device-and-mosfet-getting-hot-with-no-load

器件型号:LM5146-Q1


工具/软件:

您好团队:

我们使用 LM5146-Q1、旨在从 24V 输入电压降压 12V。

器件和 MOSFET 变热、并且当我们连接负载时、输出电压达到零电压。

我们从 MOSFET 的高侧和低侧获取了以下栅极信号。

请参阅下面的原理图。

请尽快回复。

谢谢

Rahil Ahamed。

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Rahil:

    我建议填写快速入门计算器来检查损耗。

    这些 Vishay FET 具有相当大的电容、Qrr 为 110nC、Qg 为 10V 为 40nC。 是否需要两个并联的 FET? 最好只使用一个良好的 FET。

    还要检查电感器磁芯损耗。

    BTW、这里的 SW 节点电压看起来非常不寻常、为什么有两个电平?

    此致、

    Tim