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部件号：CSD17585F5工具/软件：
我们看到 组件主体上有各种各样的芯片输出（SMT 后处理）、如果存在可接受性要求、我们希望了解。
工具/软件：
我们看到 组件主体上有各种各样的芯片输出（SMT 后处理）、如果存在可接受性要求、我们希望了解。
您好 Bryan、
感谢您关注 TI FET。 背面（标识侧）排屑深度不应超过芯片厚度的 25%以及芯片长度或宽度的 50%。 下表和图中显示了前侧切屑规则。 前侧缺口的最大问题是芯片是否延伸到裸片的有效区域。 其中 2 张图片中显示的小缺口是可以接受的、并且在卷带包装之前将通过 TI 的光学检查。 第 3 张图片是不可接受的、也不会通过 TI 的光学检查。 我在下面提供了有关 TI 芯片级 FET 的一些有用链接。 它们本质上是具有可焊接焊盘或 BGA 互连的硅片。 在处理和组装到 PCB 上时需要小心。 如果您有任何问题、敬请告知。
FemtoFET SMT 指南： https://www.ti.com/lit/ug/slra003d/slra003d.pdf
解决芯片级功率 MOSFET 的组装问题： https://www.ti.com/lit/an/slvafh0/slvafh0.pdf
WCSP 处理指南： https://www.ti.com/lit/ml/sszqnf6/sszqnf6.pdf
WCSP/DSBGA 应用报告： https://www.ti.com/lit/an/snva009ai/snva009ai.pdf
此致、
约翰·华莱士
TI FET 应用
