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[参考译文] TPS2663：TPS26631 PGOOD 上升时序

admin
Guru**** 2581345 points


请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1543393/tps2663-tps26631-pgood-rise-timing

器件型号：TPS2663


工具/软件：

大家好！


我对 PGOOD 上升时间有疑问。

超过 PGTH 阈值 (~ 1.2V) 和 PGOOD 信号变为高电平有效之间的延迟时间是多少？

根据数据表规格、PGOOD 在 PGTH 达到 1.2V 后 1.3ms 变为高电平、但在实际测量中、PGOOD 在 20ms 后变为高电平。

为什么不是 1.3ms？ 你知道的原因吗?


此致、
Ishiwata

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    TI__Guru**** 2581345 points
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    您好、Ishiwata、

    您能分享原理图和波形吗？

    是否在 VOUT 和 PGTH 之间添加了电阻分压器？

    此外、您可以通过 VIN、VOUT、PGOOD 发送的启动波形

    谢谢

    Amrit  

  • 0
    TI__Guru**** 2581345 points
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    尊敬的 Amrit：


    感谢您的答复

    我想和您一起查看原理图。 我想用私人信息分享原理图。

    没关系吗？


    此致、
    Ishiwata

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    TI__Guru**** 2581345 points
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    是的、您可以通过私人消息分享我。  

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    尊敬的 Amrit：

    感谢您的支持。
    我已将电路图和波形发送给您。
    请检查它。

    此致、
    Ishiwata

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    TI__Guru**** 2581345 points
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    已回复私人留言。 我们可以继续对话  

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    尊敬的 Amrit：

    感谢您的支持。

    我联系您是因为我没有收到私人邮件的回复。


    如果您有任何更新、请告诉我。

    此致、
    Ishiwata

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    TI__Guru**** 2581345 points
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    大家好！

    我一直在等待你的答复,但没有听到你。
    您能给我们一个答复吗？

    此致、
    Ishiwata

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    已回复私人留言

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    您好 Amrit、

    我发送了一封关于以下内容的私人邮件、但尚未收到回复。
    请回复。

    当超过 PGTH 阈值（约 1.2V）时、数据表中 PGOOD 信号变为高电平所需的时间为 1.3ms、但当我实际测量它时、它会在 20ms 内变为高电平。
    您说 PGOOD 有时可以像下面电路图中的电压跟随器那样延迟到 20ms？94、是否可以使用相同的电阻和电容值？

    此致、
    Ishiwata

  • 0
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    您好 Shuji、

    我收到了你的请求。

    我必须查看此实验进行确认。

    有时请允许我。 我将在本周结束前提供最新情况。

    谢谢  

    Amrit  

  • 0
    TI__Guru**** 2581345 points
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    尊敬的 Amrit：

    我正在等待您的更新。

    此致、
    Ishiwata

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    TI__Guru**** 2581345 points
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    大家好！

    我一直在等待你的答复,但没有听到你。
    您能给我们一个答复吗？

    此致、
    Ishiwata

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    您好 Shuji、

    很抱歉耽误您的时间、感谢您的耐心等待。

    要使 PGOOD 提供两个条件必须满足 VOUT 高于 PGTH 且栅极电压高于 PGTHVth VGS。

    这可确保内部 FET 完全导通（饱和区域）、并且完整电流可以流过器件。

    大于 VGH+VTH 值的栅极电压通过内部 VGS 信号实现。

    采取这些措施是为了保护内部 FET SOA。  

    在本例中、VOUT 压摆率较高、并且 PGTH 设置为非常低的值。 因此、即使 VOUT 超过 PGTH 值、PGOOD 在超过 VGHI 后变为高电平。

    因此、当 VOUT 完全设置时、您会看到 PGOOD 变为高电平。

    谢谢  
    Amrit  

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    尊敬的 Amrit：

    当您说栅极电压时、您是指 B_GATE 端子（引脚 4）处的电压吗？
    您是否使用 EVM 确认了同样的情况：即 PGOOD 在 1.3ms 后上升？
    根据数据表、请告诉我 PGOOD 延迟时间为 1.3ms 的 VOUT 压摆率和 PGTH 电压。

    此致、
    Ishiwata

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    尊敬的 Shuji：

    1.3 MS tPGOODR 是 cdVdT 打开时的状态。 这意味着它具有更快的压摆率。

    当您具有 cdVdT CAP 时、VOUT 将具有较慢的压摆率来控制浪涌。

    当 PGOOD 同时满足 数据表中提到的 PGTH 和内部 FET 高电平 (VGHI) 时、PGOOD 将变为高电平。 这就是为什么您会在 VOUT 稳定后看到 PGOOD 出现的原因。 这是预期行为。  

    您是否使用 EVM 确认了相同的内容：即 PGOOD 在 1.3ms 后上升？

    是、如 EC 表中所述、在 EVM 上确认 cdvdt 电容器断开且 COUT：1uF。

    谢谢

    Amrit  

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    尊敬的 Amrit：

    感谢您的回答。

    我的理解如下：

    -当 cdvdt 电容打开且 COUT 电容为 1uF 时, PGOOD 延迟时间为 1.3ms。
    -当 VOUT 压摆率设置得较慢时,PGOOD 延迟时间为 10ms。

    实际上、您是否通过 EVM 确认了在设置 cdVdT 电容器后、PGOOD 延迟时间会变得更长？

    此致、
    Ishiwata

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    是的、我已在 EVM 上进行了验证。

    应该测量它从 VOUT 趋稳至 VIN 值到 PG 变为高电平的时间。

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    TI__Guru**** 2581345 points
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    感谢您的答复。
    我将要求我的客户检查 PGOOD 延迟时间是否存在 cdvdt 电容、

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    是的。  

    您也可以要求探测 dVdt 电容器