[参考译文] BQ40Z50：睡眠电流较高

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https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1560073/bq4050-sleep-current-is-to-high

产品编号：BQ40Z50

工具/软件：

您好、

我们正在一个项目中使用 BQ40Z50。

我们现在注意到、睡眠模式下的电流消耗 (240µA 为 14.4V) 高于数据表中规定的值 (75µA)。

我测量了电子产品的平均功耗。仅安装了 BQ40Z50 并用于 4S1P 电池。

您能帮我找出原因吗？

此致、

Tonino

3 个月前

0 admin 3 个月前

TI__Guru**** 2535150 points

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您好：

此问题已分配、并将在可能的情况下进行审核、同时请附加与项目关联的.gg/.log。

谢谢您、
Alan

0 admin 3 个月前

TI__Guru**** 2535150 points

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你好、Tonino、

我将对此进行研究。是否使用 EVM 进行此测量？

-米格尔

0 admin 3 个月前

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e2e.ti.com/.../bq4050_5F00_4S1P.gg.csv
您好 Alan、
谢谢
这是我的.gg 文件

0 admin 3 个月前

TI__Guru**** 2535150 points

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您好、Miguel、
我们使用自己的原理图。

0 admin 3 个月前

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大家好！

我们现在已经在电路设计过程中确定、反向保护对功耗有影响。
如果我们移除 FET 以实现反向保护、则睡眠模式下的功耗会降至约 100µA。
除此之外、在正常模式下、我们具有带反向保护的 500µA 功耗和不带反向保护的大约 300µA 功耗。

此致、
Tonino

0 admin 3 个月前

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Tonino,

我们的 IQ 测量通常使用极少的 BOM 元件、因此没有反向充电保护或 FET。

-米格尔

0 admin 3 个月前

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您好、Miguel、

感谢您提供的信息。
我们现在发现反向保护 FET 太小。
较高的耐受电压可以解决问题。

此致、
Tonino

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[参考译文] BQ40Z50：睡眠电流较高