[参考译文] BQ40Z50-R2：反向电压保护 MOSFET：集成设计是否需要？

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https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1560993/bq40z50-r2-reverse-voltage-protection-mosfet-necessary-for-integral-design

器件型号：BQ40Z50-R2
主题中讨论的其他器件：BQ25798、 EV2400

工具/软件：

你（们）好

我们正在设计一个充电器 (BQ25798) 永久连接到电量监测计的 PCB。因此不存在充电器意外反接的危险。我的问题是、在这种情况下是否需要安装 Q4 和 R4、或者是否可以安全地忽略它们。我犹豫的原因是数据表提到了潜在的损坏、即使 pack+略微变为负值也是如此、我不确定 BQ25798 电池输出在特定条件下是否可能暂时下降为负值。

3 个月前

0 admin 3 个月前

TI__Guru**** 2550550 points

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您好：

此问题已分配、并将在可能的情况下进行审核、请附加与项目关联的.log /.gg 文件。

谢谢您、
Alan

0 admin 3 个月前

TI__Guru**** 2550550 points

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大家好、谢谢。我们仍在研究初始原理图/布局、因此还没有日志或 gg 文件。我们将在未来几周内订购第一个原型和 EV2400、并正在进行设计的精加工。这就是我省略反向电压保护 MOSFET 的原因。

0 admin 3 个月前

TI__Guru**** 2550550 points

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您好 Raphael、

如果 PACK+略微变为负值、则用于反向充电保护的 FET 的 Vgs 阈值可能无法保护您免受该事件的影响。我们的 EVM 反向充电保护 FET 的阈值为~1V 至~3V、这意味着 PACK+必须处于最高（负电压） –1V 或更低、才能使该 FET 免受连接的反向充电器的影响。但是、充电器不可能如此低。否则、它根本无法充电。这种情况是直流事件、而不是交流事件。

如果电路中已经具有反向充电保护、则不必使用数据表中的反向充电保护。

不过、我认为无论您使用哪种保护电路、您在主题中提到的问题仍然存在。

-米格尔

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