Thread 中讨论的其他器件：LM74930
工具/软件：
您好、
我们将 LM74930 用于具有三个输入（电池或外部电源）和一个单输出的 ORing 应用。 LM74930 通过背对背 MOSFET 和栅极上的 RC 进行配置、以限制进入我们容性负载（BLDC 电机）的浪涌。
要求：60V DC 最大输入电压（53V 标称值）和 30A
×、我们选择了 MOSFET：3m Ω PSMN2R3-100SSEJ（额定电压为 100V）、具有低 RDSON、旨在用于电子保险丝/负载开关应用：
https://www.nexperia.com/product/PSMN2R3-100SSE
原理图严格遵循 EVM。 我们将 UVLO 设置为 12V、OVLO 设置为 60V。使用 100Ω+ 68nF 的浪涌~0.81V/ms、且 ILIM 设置为 62A
请参阅 随附的 PDF 中的原理图或此处： 
在 36V 时、电路按预期运行：当 EN 为低电平时、VOUT = 0V、使能波形与 EVM 匹配。
问题：高于~43V 至 44V 时、VOUT 意外上升：
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在 V IN 为 50V 时、VOUT≈6.64V、这足以点亮输出 LED、我们的直流负载可消耗~μ A 100mA。
将 EVM 与我们的电路板进行比较：在 36V 时、一切看起来正常。 高于~44V 时、HGATE 和 DGATE 移至 0V 以上（参考接地）。 我预计这意味着导通、但使用万用表测得的 VGS 为实心 0V
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我们尝试将 VCAP 从 100nF 增加到 400nF — 无变化。
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我们还移除了 VIN 上的 57V 钳位齐纳二极管 — 无变化。
问题：
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极低的 RDS (ON) 是否会导致该拓扑中 LM74930 出现意外行为？
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这些 MOSFET 是否不适合此器件/ORing 配置？
谢谢你
