请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
器件型号:UCC27282工具/软件:
尊敬的团队:
客户希望了解以下计算规格:
- 分别为内部 MOS 的上拉和下拉电阻

内置自举二极管和自举电阻器的 Qrr。
谢谢!
Marc
This thread has been locked.
If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.
工具/软件:
尊敬的团队:
客户希望了解以下计算规格:

内置自举二极管和自举电阻器的 Qrr。
谢谢!
Marc
您好:Marc、
1.您可以估算高 电平和低电平输出电压的上拉电阻 (ROH) 和下拉电阻 (ROL) 的值。 VHOH 和 VHOL 用于高侧、VLOH 和 VLOL 用于低侧。 请参阅下面的:

例如、
RHO_max = 0.4/RHO= 100mA 4Ω
RHOL_max = 0.42/RH_max 100mA = 4.2Ω
2. Qrr 取决于反向恢复时的电流,因系统而异。 计算自举二极管的功率耗散可能很困难。 可以很好地计算出运行期间流经二极管的平均电流。 这可以根据 Iavg_HB = Fsw * Qg_mosfet 来计算。 这种情况下、在动态电阻(数据表中的 Rd)下、可以通过 Pdiode =(I_avgHB)^2 * Rd 估算功率损耗
如果构建了系统、则可以使用 IVDD 测量来更准确地计算功率损耗。 此测量还将包括反向恢复损耗、上述计算中无法考虑反向恢复损耗、并且在不清楚该系统的情况下无法计算反向恢复损耗。
如果您需要其他支持、请告知我们。
此致、
Amy