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[参考译文] TPS25983：TPS25983xO

admin
Guru**** 2615045 points

Other Parts Discussed in Thread: TPS25983, CSD18511Q5A

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1554707/tps25983-tps25983xo

器件型号：TPS25983
主题中讨论的其他器件： CSD18511Q5A

工具/软件：

我们的应用的额定输入电压为 12V (9V 至 16V)、额定电流为 10A。 我们计划使用 TPS25983xO 来实现过流、过压和反向电源保护。
如果根据数据表图 7-8 中的说明、从外部添加 Qb FET 可以实现反向电流保护。 我的问题是、这是否也可以实现反向电源保护？ 当插入外部电源时、电源的正极和负极会反接
谢谢！

  • 0
    TI__Guru**** 2615045 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    Hi Yuan Hui Su,

    外部 BFET 只能在器件关闭时提供 RCB。

    如果需要反极性保护（如上所述）、则必须在器件地和电源地之间添加一个二极管。 与此示例类似。

    此致、
    Arush

  • 0
    TI__Guru**** 2615045 points
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    您好 Arush、
    感谢您的反馈！
    在数据手册的布局示例中、信号接地岛和电源接地之间存在短路。 将您提到的反极性二极管放置在这个位置是否可行？
    谢谢！

  • 0
    TI__Guru**** 2615045 points
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    您好 Arush、

    另一个问题、我注意到您发布的图示是 TPS25942x、它内部具有背对背 FET、而在 TPS25983 的图示中、里面只有一个 FET。

    这是否意味着、为了实现电源的反极性保护、除了安装接地二极管之外、还需要一个外部 qb FET（即使不需要反向电流保护）？


    谢谢！

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    TI__Guru**** 2615045 points
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    Hi Yuan Hui Su,

    上面分享的插图看起来不错。

    在这里、背对背 FET 在输入侧反极性保护方面没有任何关系。 通过放置二极管、我们可以防止任何电流从 GND 流向不同的引脚。

    此致、
    Arush

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    TI__Guru**** 2615045 points
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    您好 Arush、

    基于前面的讨论、我将按照随附的图设计电路。 您认为这是可行的吗？ 您能帮您推荐 qb FET 和附加 RPP 信号二极管的模型吗？


    谢谢！

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    TI__Guru**** 2615045 points
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    Hi Yuan Hui San、

    我很抱歉耽误你的时间。 我错过了该主题。 您很可能已经找到了这些器件、但我只想添加其他一些器件  

    我们 在 EVM 中使用具有 1.13 Ω Rg 的 CSD18511Q5A。 也可以使用 30V FET。 Vgs max 应>= 10V。  

    对于 RPP 信号二极管、任何具有适当击穿电压的 PN 结二极管在此处都应该很好。   

    此致、
    Arush

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    TI__Guru**** 2615045 points
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    谢谢！