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[参考译文] LMG2100EVM-078:输入电容

Guru**** 2566385 points


请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1566082/lmg2100evm-078-input-capacitance

器件型号:LMG2100EVM-078


工具/软件:

您好团队:

此 EVM 具有 4 个 0.1uF 输入电容器、靠近 VIN 引脚放置。

我通常不会看到有 4 个 0.1uF 输入电容器用于直流/直流转换器。

与基于 Si 的直流/直流转换器相比、GaNFET 是否需要更多 0.1uF 电容器?

此致、
Kee Kuhara.

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的科威特圣:  

    否、对 VIN-GND 的去耦电容总数量没有设定的要求。 这是 为 EVM 选择的值、经验证可正常工作、不会出现任何问题。 Si 和 GaN 之间的去耦电容要求没有太大差异。  

    谢谢、

    John