[参考译文] LM5145：采用 LM5145 的高电流转换器

尊敬的 Dimitar：

器件很可能达到此处的热限值。 快速入门中的效率曲线显示 HS FET 中存在大量功率损耗。 25A 时的功率耗散为~4.5W、单个 FET 的功率耗散非常高。 此外、FET 的 Rdson 会随着温度的升高而增加、这将使 FET 损耗变得更大。 对于您的应用 — 请参阅我之前回复中分享的推荐参考设计。  

我也 对该设计有一些其他评论：

1.输出电容的额定电压为 25V。 对于 24V Vout -电容器中将存在显著的直流偏置降额，这将显著降低净输出电容 — 这将改变电路的环路响应。 我建议您使用额定电压为 50V 的输出电容器。  

2.设计也是略微稳定的（45 度）-使用降额的 Cout 时,设计可能会变得不稳定。  

谢谢、

此致、

Taru

您好 Dimitor

 如果我将两个晶体管并联在一起、这会绕过热模式、还是 LM5145 没有功率驱动晶体管？

这是您可以在设计工具中检查的内容。 但是、使用两个 FET 并联会使栅极电容加倍、并且由于会产生电路板寄生效应、因此在电路板布局布线方面设计也会比较棘手。 该器件并不会限制您对输出电流的了解、但是、要找到合适的无源器件并不容易。

根据我的经验 — 最好的方法是查看其他拓扑。  

还有一个最后一个问题、我是否可以在  LM5145 之后使用外部驱动器来提高驱动高栅极电荷的能力

这与我们在基于 GaN 的参考设计中所做的类似。  https://www.ti.com/tool/PMP23591

您可以这样做 — 但设计中的热源仍然是开关，这仍然是设计的热限制因素。  

谢谢、

此致、

Taru