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[参考译文] TPS74801:在低 Iout 时违反 VBAIS

Guru**** 2538930 points


请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1567937/tps74801-vbais-violation-at-low-iout

器件型号:TPS74801


工具/软件:

您好、

 

我正在使用 TPS74801DRCR 设计 LDO 电源、想听取您对 VBAIS 违规行为的意见。

我的设计:

VIN = 5V+/–5%

Vbias 连接到 VIN

VOUT = 3.3V +/- 3%

IOUT 最大值= 0.3A

 

数据表中的表 7-1 显示、对于正常模式、“VBIAS≥VOUT + 1.6V“。  但由于我的 VIN 可以是–5%:

4.75≥3.3+1.6   无效、这是一个违例。

 

查看第 6.5 节中的 VBIAS 压降电压、测试条件为 Iout = 1.5A

从数据表中的不同图形(如图 6-32)可以看出、如果 Iout 较低、则 VBIAS 压降电压要求似乎较低。


您对上述参数有何看法、以及由于我的 Iout 较低、因此违反了“VBIAS≥VOUT + 1.6V“?
这是否仍然是可靠的设计?

谢谢。

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Luc、  

    我认为这仍然可以是一个可靠的设计、但是否有理由不使用 M3 器件? 除了启动时间外、规格通常都优于原始器件、并且采用相同的封装时成本更低。  

    此致、  

    Eduardo Linares

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    你(们)好  

    >是否有任何理由不使用 M3 芯片

    仅因为零件整合、通用性以及采购。  我们使用了许多非 M3、而不使用 M3。  如果可能、我更倾向于使用 在其他设计中使用的公共器件。

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    可以理解。 无论在此应用中使用哪种器件、您都会没问题。