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[参考译文] LM51772：LM51772 输出异常

admin
Guru**** 2563960 points
Other Parts Discussed in Thread: LM51772

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1566075/lm51772-lm51772-output-abnormal

器件型号：LM51772


工具/软件：

您好、

我能够启用 LM51772 并进行了良好的性能测试。 不过、我做了另一个采用相同原理图设计的 PCB、但遇到输出异常（5V 输出，如下所示）的问题。 即使 I CONFIG 正确的 I2C 命令也无法将其调优到更高水平。  

如果我漏掉了所附原理图中的任何内容、或者有什么可以尝试的、您能帮我回顾一下吗？

非常感谢。  

\

此致、  

最大值

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    TI__Guru**** 2563960 points
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    您好、Max、

    您能否将填写好 的 LM51772 设计计算器附加 到此主题？ 这将是我们进行原理图审阅最高效的工作流程、同时提供所需的功率级规格详情。
     

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    TI__Guru**** 2563960 points
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    尊敬的 Alicia：  

    抱歉、我不确定、但 E2E 似乎不允许我直接上传计算器工具作为附件。  

    我使用如下捕获结果。  

    请注意、实际应用是 USB PD 充电、对于我的设计、输入通常为 20V 至 24V、而输出范围预计涵盖整个 5V 至 48V、并具有 5A 输出能力。  

    我使用了多个电感器/电容器供应商、因此我对确切的 DCR 和 ESR 参数不太确定、只是输入了我的估算值。 希望这不会对您产生太大的影响。   

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    TI__Guru**** 2563960 points
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    您好、Max、

    您能否帮助分享快速计算工具的链接？ 由于 Vout 有一定范围、因此想看看不同 Vout 下的性能如何。 谢谢。  

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    TI__Guru**** 2563960 points
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    尊敬的 Alicia：  

    是的、确定。 您能看到我的电子邮件地址吗？ 您可以通过邮件 ping 我、然后我可以回复并随邮件附上工具。

    谢谢

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    TI__Guru**** 2563960 points
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    您好、Max、

    抱歉、我看不到您的电子邮件地址。 您应该能够将 Excel 链接到该线程。 这是其他人通常会做的。 谢谢。  

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    TI__Guru**** 2563960 points
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    我假设系统阻止上载.xlsm 文件类型。  

    请检查以下内容是否有帮助。

    C：\Users\nx024387\Downloads\LM51772_Buck-V1_2_0_1 Boost_Quickstart_Tool_

    或

     e2e.ti.com/.../LM51772_5F00_Buck_2D00_Boost_5F00_Quickstart_5F00_Tool_5F00_V1_5F00_2_5F00_0_5F00_2.xlsx

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    TI__Guru**** 2563960 points
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    您好、Max、

    我们现在可以看到 QS 计算器。 请给我们一些时间进行研究。 谢谢你。  

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    TI__Guru**** 2563960 points
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    您好、Max、

    请查看下面我的审核列表和粗体标记的行项目、这些项目应再次检查（注意：此处还有其他信息，用于概述已检查的项目）

    （带下划线的器件未检查，因为信息缺失）

     

    已使用快速入门计算器进行检查

    • 注意：我没有检查所有值以匹配原理图、快速入门计算器中的值是用于检查的参考值
    • 斜率补偿设置为建议值


    原理图审阅注释：

    • RCS 与电感器串联、并在电感器之前
    • 检查 RC 过滤器
      电流检测电阻 Rcs 没有所需的滤波器
    • 检查 Risns 滤波器。 电流检测电阻 Risns 没有滤波器 — 建议添加占位符
    • ILIMCOMP/ISET 用作 ISET 时应具有一个与电阻器并联的小型滤波电容器
      [USB_PD 使用典型可调节 ILIM ->=>将 RC || C FILTER 置于 ILIMCOM]
    •  如果未使用 ISNS、则将 ILIMCOMP 连接到 VCC2
    • SW1 和 SW2 上的缓冲器
      在 SW1 和 SW2 上放置缓冲器的空间
       （然后，由于 EMI 等原因，可以在需要时填充它们，而不更改布局）。 注意：缓冲器将电阻器连接到 GND 以获得更好的热性能
    • BIAS 连接（当前通过电容器）μ F 连接到 GND 如果未使用 BIAS、请连接到 VOUT 的 GND 或 VIN（不要保持开路）。 BIAS 可连接到 VIN（如果未违反 BIAS 的最大额定值）、以使 LDO 在 BIAS 上具有更好的性能
    • 在 MOSFET 栅极信号线中添加串联电阻
      （然后可以在需要时更换它们（例如由于 EMI）、而无需更改布局、
      附加选项：并联一个二极管以实现慢速导通和快速关断。
      注意：良好的起始值为 3.3Ω、然后在测试 PCB 时进行调整
    • 在高侧 MOSFET 的栅极和源极之间添加电容器占位符。  如果需要（尤其是 SWx 上的高压阶跃）、可以组装这一点、以避免在 SWx 变为低电平时重新打开高侧 MOSFET
    • MOSFET 的额定电压
      （建议裕度为 30%）
    • 米勒效应平台
      所使用的 MOSFET 需要是逻辑电平 MOSFET — 可以在 2.5V 至 3.5V 的范围内被米勒平坦区域看到
    • 相对于最低输入电压的 UVLO 设置
      UVLO 设置为 xV、但工作范围从 xV 开始 — 相对较大的距离
    • VCC 22uF 处的电容：（数据表最小值：6uF，带直流偏置）
      请检查 Vcc 上的电容，以在考虑直流偏置的情况下获得所需的电容 — 我们在 EVM 上使用 22uF
    • VCC2 用于控制和驱动器电源
      VCC1 可用于外部逻辑（如果未使用）、则可以禁用
    • 需要 FB_IN：对于直通模式 — 仅使用外部 FB 分压器。 使用内部 FB (FB 连接到 VCC2) 时、将其置于 AGND
    • 如果应通过 I2C 设置电压、请将 FB 连接至 VCC2
    • FB 和 FBIN 的反馈分压器相同（检查是否需要 FBIN）
    • 不使用时的 nRST 需要连接到 VIN
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    TI__Guru**** 2563960 points
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    尊敬的 Alicia：  

    感谢您发送编修。我们会重新检视您的建议。  

    这些天我也做了一些尝试,  

    我尝试了补偿设置的一些组合。 最后、使用该设置将 CCOMP 放大至 22nF。 这会使输出正常工作。

    同时、当 I test 时损坏升压 HS MOSFET 并保持在 48V。 我不确定原因、但 MOSFET 即使在 0 负载下也会非常热。 降压 LS MOSFET 上的 24VIN - 5Vout 也是如此。  在这种情况下、我将栅极串联电阻更改为 0 欧姆、它看起来更好但仍然很热。 我尚无法查看更多详细信息、但稍后将检查栅极波形以找出答案。 我使用的是 PFM 配置、因此我预计在 0 负载时 MOSFET 温度不会显著升高。   

    我还将查看您提到的项目、了解具体情况。

    顺便说一下、驱动器损耗控制器本身的特性似乎也会导致 LM51772 IC 温度升高。 外部电源的偏置是否有助于实现这一点？ 我只在 BIAS 引脚上放置了一个小电容器、是否建议将其连接到 GND（因为目前只有 CAP 至 GND 封装）。？

    谢谢

    最大值

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    TI__Guru**** 2563960 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Max、

    如果输入电压远高于 5V、则使用单独的偏置电压将有助于降低器件内部损耗、因为从输入端到 VCC 之间存在线性稳压器。 如果输入为 20V、则必须将电压的功率耗散到高于 VCC 的水平、因此如果使用较低的偏置、栅极驱动器电流将导致功耗较低。

    MOSFET 需要电源平面来耗散其功率损耗。 使用计算器的最低部分时、您可以获得 MOSFET 中功率耗散的第一个估算值。

    此致、
    Brigitte