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[参考译文] LMG1020EVM-006:如何保持 LMG1020EVM-006 中的 SN74LVC1G08 输出幅度?

Guru**** 2556380 points
Other Parts Discussed in Thread: LMG1020EVM-006, SN74LVC1G08, LMG1020

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1561309/lmg1020evm-006-how-to-maintain-the-output-amplitude-of-sn74lvc1g08-in-the-lmg1020evm-006

器件型号:LMG1020EVM-006
主题中讨论的其他器件: SN74LVC1G08LMG1020

工具/软件:

我们使用 LMG1020EVM-006。  此图引用了 EVM 用户指南 LMG1020EVM-006。我们正在调整函数发生器的频率、以便 在输出端实现尽可能窄的脉冲宽度 (1ns)。  

我想增加 LMG1020EVM-006 评估板中使用的与门 SN74LVC1G08 的输出信号幅度。
原因是在尝试从 SN74LVC1G08 生成较窄的脉冲时、我们发现信号振幅会降低。

我们如何在仍从 SN74LVC1G08 生成窄脉冲的同时保持输出幅度?

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Makiko:

    LMG1020 是否仍由输入脉冲触发?  驱动器的输入高电平阈值为 2.6V(最大值)、与门的输出应通过 5V EVM 电源达到该值。 您能告诉我您在打开电路板后添加或移除了哪些零部件吗?

    谢谢、

    Annabelle

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    尊敬的 Annabelle:

    感谢您的答复! 我很感谢。

    我 在不做任何修改的情况下使用 LMG1020EVM-006。 因此、我向  LMG1020EVM-006 上的 J3 输入脉冲。 输入脉冲约为 100kHz 或 250kHz。  

    让我改变一下问题。 我想对 GaN-FET 施加更高的电压、因此我希望尽可能提高 LMG1020 OUTL (OUTH) 输出脉冲的幅度。 根据我们使用 LMG1020EVM-006 的评估、从 SN74LVC1G08 到 LMG1020 的信号输入振幅似乎与 LMG1020 OUTL (OUTH) 的电压成正比。

    如果您指出任何错误、我将不胜感激。 我也希望得到任何建议。

    感谢您的合作。

    此致、

    Makiko

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    尊敬的 Makiko:

    建议的最大 VDD 为 5.4V、因此 LMG1020 输出的振幅不能高于该振幅。 是的、LMG1020 的与门振幅将与 LMG1020 OUT 引脚的电压成正比。 因此驱动 FET 的频率不能高于该值。

    您希望驱动 GaN-FET 的电压电平是多少?

    谢谢、

    Annabelle

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    亲爱的 Annabelle、

    感谢您的解释!

    我希望以超过 4V 的电压驱动 GaN-FET、但随着脉冲宽度接近 1ns、振幅会降低、目前仅产生大约 1V 的振幅。

    我还考虑在驱动器 IC 之前放置一个缓冲器 IC、它在与门之后。 我正在寻找一款能够高速运行(特别是大约 1ns)的缓冲 IC。 您是否有任何推荐产品? 此外,如果你有任何其他建议,我将感谢你的建议。

    谢谢!

    Makiko

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    尊敬的 Makiko:

    您是指与门的输出仅达到 1V、还是驱动器的输出仅达到 1V? 由于驱动器只需要 1.8V 电压来实现输入高电平阈值、因此驱动器的输出将为 FET 提供 5V 电压。  

    另一个注意事项是、将与门用作脉冲缩短器时、压摆率为最大值、因此输出脉冲将进行四舍五入 、没有尖锐边缘、并在顶部进行四舍五入。

    您能否发送所看到行为的示波器屏幕截图、包括 IN+和 IN-至与门、与门的输出和驱动器的输出? 如果可能、请使用尖端和接地筒探头法进行连接。  

    谢谢、

    Annabelle

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    尊敬的 Annablle:

    感谢您的答复!  

    您是指与门的输出仅达到 1V、还是驱动程序的输出仅达到 1V? [/报价]

    是的。  

    因为该驱动程序只需要 1.8V 电压即可实现输入高电平阈值、然后该驱动器的输出将为 FET 提供 5V 电压。  [/报价]

    我知道该驱动器的输入需要 1.8V。

    您能否发送您所看到行为的示波器截图、包括 IN+和 IN-至 AND 门、AND 门的输出以及驱动器的输出? 如果可能、请使用尖端和接地筒探头法进行连接。  [/报价]

    为了进行比较、我上传脉冲宽度调整为 2ns(左侧)和 7ns(右侧)时的波形。 粉色波形表示驱动器的输出、但在 2ns 时、振幅较低。 我希望使该振幅与 7ns 时的振幅大致相同。 非常感谢您的建议!

    IN+至与门:橙色

    进入与门:深绿色

     与门的输出:紫色

    驱动器的输出:粉色

    [脉冲宽度:2ns]                                     [脉冲宽度:7ns ]

     [   

    此致、

    Makiko

    [/quote]
    [/quote][/quote]
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    尊敬的 Makiko:  

    我将在实验室测试一个新的 LMG1020 EVM、看看我是否可以复制您看到的行为。 您能给我提供您的 VDD、VIN 电平、开关频率以及 IN+和 IN-脉冲的设置吗? 您使用什么填充电阻器负载/激光二极管空间? 我将于明天下午和星期五离开办公室、因此我将在收到您提供的信息后尽快(可能是下周初)完成此工作。

    感谢您的耐心等待、

    Annabelle

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    亲爱的 Annabelle、

    感谢您的合作! 我 已概述了以下条件。 我衷心感谢您愿意进行复制测试。 我期待下周能收到您的反馈。

    LMG1020 的 VDD、SN74LVC1G08   ->5V
    LMG1020EVM-006 的 J1 的 VIN 电平  ->10V

    开关频率 ->250kHz
    IN+和 IN-脉冲的阈值设置?   -> 3.3V、如上图所示、脉冲宽度约为 170ns。
    电阻器负载/激光二极管的空间是用什么填充的?  ->我使用激光二极管。

    此致、

    Makiko

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    尊敬的 Makiko:

    感谢您提供此信息。 安娜贝勒不在办公室、预计将于 9 月 15 日返回星期一。 感谢您的耐心。

    此致、

    Amy

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    【已删除】
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    尊敬的 Makiko:

    查看 EVM 用户指南、与门 IN+的脉冲宽度应从 100ns 开始并缓慢减小、直到达到所需的脉冲宽度。 您的波形对于与门的 IN+似乎具有相同的 170ns 脉冲宽度、但不知何故、您通过该波形生成了 7ns 脉冲和 2ns 脉冲。

    重新创建设置时、我没有看到同样的问题。 我能够通过与门实现达到 6V 的 1ns 脉冲。

    您可以 在此处找到 EVM 用户指南我建议在添加二极管之前移除激光二极管、并按照以下步骤、使用电阻负载正确调整脉冲宽度。  开箱后、我根据 EVM 用户指南执行了这些步骤。 您说、除了添加激光二极管之外、您没有对 EVM 进行任何更改、因此即使您已经使用了 EVM、也应该能够进行更改。 以下引用部分直接取自用户手册。

    1.检查激光二极管的有效电阻,以便有效地重建。 “选择电阻器负载时、请使用 4 个并联 0603 尺寸、100mW 电阻器和 1Ω 至 20Ω 的典型激光二极管电阻值。为了实现纳秒脉冲、建议使用 1Ω 电阻器负载、其中需要四个用于 R5 - R8 的 4Ω 并联电阻器。“ 我使用了四个 4 Ω 电阻器。  

    2.“首先在没有总线电压的情况下测试 EVM、以在栅极测试点 VG (TP4) 上实现所需的脉冲宽度、频率和重复率。“ 条件应如下所示:  

    - J1 的直流偏置电源至少应为 5.5V ,电流限制为 100mA。  
    -函数发生器应设置为 0-3V、100kHz、100ns 脉冲宽度(我最终从您的设置 0-3.3V 增加 输入电平,因为 SN74LVC1G08 在 5.5V 的高电平输入电压阈值是 3.85V ,所以你可能必须这样做)

    3.  “当首次开始微调函数发生器输入以查看 IN+上的脉冲时、从 100ns 开始、然后将脉冲宽度减小纳秒或更小、从而使 IN+测试点的脉冲宽度变为 1-2ns。“ 请使用尖端和接地筒测量 IN+和 VG 测试点(如下所示)

    4. 先取下电阻器 R5-R8、再装上激光二极管

    尝试过此操作后、如果与门的输出仍然遇到此问题、请告诉我。  

    谢谢、

    Annabelle

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    亲爱的 Annabelle、

    我非常感谢您的友好合作、并感谢您提供的信息。

    我还有一个问题:您能告诉我您在测试中使用的函数发生器的模型名称吗?此外、如果您能告诉我们函数发生器的输出阻抗是设置为 50Ω 还是高阻抗、这会很有帮助。

    此致、

    Makiko

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    尊敬的 Makiko:

    模型名称是 Tektronix AFG3102C。

    对于输出阻抗、当 I 得到正常结果时、设置为 50 Ω。 当我将设置更改为高阻抗时、无法获得纳秒脉冲。 请查看以下图片和条件:

    50 Ω、FG 设置为 2.2V 的高电平、脉冲宽度为 100ns:1ns 脉冲

    50 Ω、FG 设置为 1.65V 的高电平、脉冲宽度为 170ns:9ns 脉冲

    50 Ω、FG 设置为 3.3V 的高电平、脉冲宽度为 170ns:116ns 脉冲

    高阻态、FG 设置为 3.3V 的高电平、脉冲宽度为 170ns:9. ns 脉冲

    高阻态、FG 设置为 3.3V 的高电平、脉冲宽度为 100ns:无 脉冲

    谢谢、

    Annabelle

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    亲爱的 Annabelle、

    非常感谢您提供如此有价值的信息。 我现在明白函数发生器的负载阻抗应设置为 50 欧姆。

    (函数发生器的输出引脚阻抗固定为 50 欧姆。 我检查的实际上是负载阻抗设置。 请允许我在此处进行更正。)

    在这种情况下、我可以询问是否组装了位于 EVB 上 J3 附近的 R4 (DNP) 50 Ω?

    感谢您的合作。

    此致、

    Makiko

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    尊敬的 Makiko:

    否、未组装 R4。

    谢谢、

    Annabelle