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[参考译文] TPS2H160-Q1:是否有必要使用外部钳位二极管来保护漏源?

Guru**** 2558250 points


请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1549548/tps2h160-q1-is-an-external-clamp-diode-necessary-to-protect-the-drain-source

器件型号:TPS2H160-Q1


工具/软件:

e2e.ti.com/.../Image.pptx

是否有必要在 IPD 的漏极和源极之间安装一个外部二极管、以保护其免受继电器上游因高侧开关关闭时线圈的反电动势而发生的负浪涌的影响?

根据数据表、IPD 具有内置二极管、因此是否不需要外部二极管?

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    嗨、Okajima、

    器件的内部二极管是器件的体二极管、可在器件关闭时防止电流沿正常方向流动。

    为防止反向电流、应安装外部二极管、以防止电流从 VS 流向 VBAT、如下图所示:

    他们在 数据表的 8.3.7.4 反向电流保护中关于如何处理反向电流的更多信息

    此致、

    尼古拉斯·彼得西尔格

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    感谢您的答复。
    我知道、需要使用反极性保护二极管。

    我想提出另一个有关 VDS(钳位)的问题。

    我在演示文稿中增加了另外两个问题。

    提前感谢您。

    e2e.ti.com/.../20250916_5F00_001_5F00_Inquiry-regarding-VDS_2800_Clamp_2900_.pptx

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    嗨、Okajima、

    这是 MOSFET 的体二极管、整个 MOSFET 用作内部钳位结构。

    上游二极管将能够防止负浪涌到达器件、从而保护其免受任何损坏

    此致、
    尼古拉斯·彼得西尔格