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[参考译文] CSD19533KCS:负 VGS 控制电压

Guru**** 2573695 points
Other Parts Discussed in Thread: TIDA-01371, CSD19533KCS

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1573801/csd19533kcs-negative-vgs-control-voltage

部件号:CSD19533KCS
主题中讨论的其他器件:TIDA-01371

工具/软件:

您好:

我观察到   在大电流超声波序列期间、CSD19533KCS RDS(用作浮动 LDO 稳压器 TIDA-01371 上的旁路晶体管)降级。

我想弄清楚这种现象会发生什么、以及在我的设计中是否可以使用更好的元件。

  流经晶体管 RDS 的电流图形是 330ms 周期 方波:导通状态 7A * 600us * 25V、关断状态 0A * 329.4ms * 35V。

很明显、在线性曲线中使用了导通状态晶体管。

 

首次测量全新电路板上的 RDS(使用万用表,电路板完全断开)时、晶体管(引脚 2 和引脚 3)上的 RDS 为~17KR。

然后运行 上述模式、我  通过在电路板断开连接时进行测量来观察 RDS 老化。

RDS 显著下降:测试前 17k Ω、100 个脉冲后 100 欧姆、70 000 个脉冲时 30 欧姆。

电路板长时间保持未连接状态时、RDS 会略有恢复:60 小时(周末)后 30 欧姆-> 60 欧姆。

我发现一些旧电路板的晶体管 RDS 低至 1 欧姆。 我已经将晶体管与电路板断开、旁路晶体管都具有 1 Ω RDS。 用万用表测量的。 TIDA-01371 调节在高电流脉冲期间仍有效->因此、我研究了电压命令。

 

我注意到随着时间的推移 VGS 命令发生了变化、并且 VGS 在关闭状态期间为负:

  • 60 个脉冲:导通状态 VGS =+2.8V、关断状态 VGS =–2.3V
  • 100 000 个脉冲:导通状态 VGS =+1.5V、关断状态 VGS =–2.3V

 

1–我是否观察到由于热应力或反向栅极电压而导致的漏源电流?

2 — 晶体管由于负 VGS 而耗尽?

3–我是否按照我描述的模式在安全区域 (SOA) 之外操作晶体管?

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    您好、ND。

    感谢您关注 TI FET。 您的测试板是否像 TIDA-01371 这样配置、在每个线性稳压器输出上并联 3 个 FET? 您是否在正负线性稳压器上都看到了这种 MOSFET 行为? 这是一个有趣的问题。 在这些条件下的测试过程中 FET 似乎正在降级。 DMM 测量显示将 FET 暴露于测试条件后关断状态电阻增加。 通常、需要短接栅源极、以确保栅极不会悬空、从而导致漏源电流流动或关断状态电阻减小。 我认为反向 VGS <绝对最大 VGS(–20V) 不会损坏或导致 FET 发生故障。 我怀疑这可能是由以线性模式运行 FET 相关的热应力造成的。 我很惊讶、在这种状态下、稳压器仍然与 FET 配合使用。 您是否已将任何 FET 发回 TI 进行失效分析? 您是否能够在 150°C 的温度室中将 FET 烘烤过夜、看看它们是否会进一步恢复?

    此致、

    约翰·华莱士

    TI FET 应用

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    您好、ND。

    单个 FET 在 25V 下的单脉冲 SOA、25°C 下的 600μs 约为 10A。 您的条件在 SOA 范围内。 但是、SOA 在升高的温度下会降额、并且可能会出现自发热。 FET 在您的应用中的温度有多高?

    再次感谢、

    John

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    您好、Nicolas、

    再次感谢您关注 TI FET。 我将关闭此主题。 如果您有其他问题、请随时联系我们。

    谢谢、

    John