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[参考译文] BQ25798：应用问题

admin
Guru**** 2573695 points


请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1573765/bq25798-application-question

器件型号：BQ25798


工具/软件：

您好的团队、

我们的客户有几个应用问题。
(1) 由于有外部 CC 逻辑、因此 BC1.2 判断不需要 BQ。 由于不使用 D+/D-、是否需要下拉、上拉或 N.C.？
(2) 何时应使用 VBUS、ACDRV1 和 ACDRV2？
(3) 如下图所示、能否更改 2S 至 VSYSMIN 6V 的初始设置？
(4) 何时应使用红色框“可选“？

谢谢！

此致、

Alice

  • 0
    TI__Guru**** 2573695 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Alice：

    关于 1、NC。

    关于 2、VBUS 是充电器的输入电源。  ACDRVx 驱动外部背对背多路复用器 FET 以允许不同的输入。  多路复用器 FET 的输出侧连接到 VBUS。

    关于 3、在主机处理器启动后、主机可以写入以更改 PROG 引脚默认值。  无法更改每个电阻器设置的 PROG 引脚默认值。  MINSYS 必须设置为小于 VREG。

    关于 4、SYS 和 BAT 之间的内部 BATFET 始终具有体二极管、允许电流从电池流向 SYS 负载。  如果应用需要“运输模式“、此时系统关闭、充电器处于最低电池 IQ 状态、则充电器的 SDRV 引脚可以驱动外部 shipFET 的栅极、从而将电池与系统负载完全断开。

    此致、

    Jeff

  • 0
    TI__Guru**** 2573695 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Jeff：

    感谢您的答复。

    REGN LDO 的 IQ 是多少？

    如果 IQ 超出我的预期、我可以将其关闭以实现节能吗？

    如果不是、我们如何降低 REGN LDO 的 IQ？

    谢谢！

    此致、

    Alice

  • 0
    TI__Guru**** 2573695 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Alice：

    当 REGN 与充电器的其余部分断开时、我们没有 IQ。  仅当施加有效的 VBUS 电压时、REGN 输出才可用。 如果施加 VBUS、则可以通过设置 EN_HIZ 位= 1 来强制充电器进入高阻抗 (HiZ) 模式（类似于未施加 VBUS 时）、但这也会关闭转换器并导通 BATFET 以使 SYS=BAT。

    此致、

    Jeff