[参考译文] UCC21750-Q1：外部软关断电容器计算

尊敬的 Muiz：

我认为你对我的第二个问题的答复是明确的。  

我的第一个问题实际上是关于 tSTO 的值是如何确定的。 您请我参考的 Excel 工具可帮助我计算 tSTO 的已知值的 CSTO、但我的问题是如何确定哪个 tSTO 值适合我的电源模块？ 您是否有一些指导原则来确定 tSTO 的值应该是多少？

除此之外、我没有在 Excel 工具中看到一个选项卡来计算与图腾柱 BJT 基极串联的电阻。 您是否有任何计算公式？

此致、

Prathik

尊敬的 Prathik：

求出 tSTO 值并不像将数字插入公式一样简单、因为它取决于应用。 其思路是选择一个足够长的软关断时间来限制短路事件期间的 di/dt（这可以控制 VDS 过冲）、但仍然足够短、以确保器件保持在其短路耐受时间内。

关于串联的电阻、 RG_Int 是 SiC MOSFET 或 IGBT 模块的内部电阻、而 RG_1 是栅极电阻。  RG_Int 的电阻值取决于 SiC MOSFET 或 IGBT、而 RG_1 电阻器值取决于所需的栅极驱动电流。

此致、

Muiz

尊敬的 Muiz：

因此、如果我理解正确、您的意思是我不需要与 BJT 基极串联的电阻、因为驱动器的内部电阻足以将 BJT 的基极电流限制在合适的值。

Prathik

尊敬的 Prathik：  

不、完全不是。 RG_Int 是  CAB6R0A23GM4T SiC 模块的 内部栅极电阻。  数据表显示、 该值为 1.3 欧姆。

RG_1 是 SiC 模块的栅极电阻。 RG_1 栅极电阻器会限制栅极充电电流并间接控制 IGBT 集电极电压的上升和下降时间。

还需要将 RG_1 连接到 SiC 模块。

此致、

Muiz.

尊敬的 Muiz：

我认为这里有一些混淆。 我不想问 RG_1（与被驱动的功率 MOSFET 的栅极串联的电阻器）或 RG_int（所驱动的功率 MOSFET 的内部栅极电阻）。

我的问题是与 BJT 缓冲器的基极串联的电阻、该电阻通常用于限制流入 BJT 基极的电流。 由于 BJT 放大电流、因此通常不需要将 BJT 的基极直接连接到 OUTH 和 OUTL 引脚。 我想问、TI 是否建议将 OUTH 和 OUTL 引脚直接连接到 BJT 的基极、或者使用限流电阻器？

除此之外、电容器 CSTO 和电阻器 Rsto 会导致正常运行期间的功耗增加。 由于 Rsto 非常小、驱动器 IC 会向 CSTO 提供大量电流、就好像它正在驱动另一个 MOSFET 的栅极一样。 这会显著增加从电源消耗的功率、尤其是因为 CSTO 的电容为 10nF 至 20nF、具体取决于时序。 这是否是通过外部缓冲器启用 STO 的最佳方法？

此致、

Prathik