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[参考译文] UCC21550:能否在 DT 引脚上放置一个大于 1nf 的并联电容?

Guru**** 2589245 points
Other Parts Discussed in Thread: UCC21550, UCC21540

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1578041/ucc21550-can-place-a-parallel-cap-on-dt-pin-which-is-greater-1nf

器件型号:UCC21550
主题中讨论的其他器件: UCC21540

您好团队

PCN 之前的 UCC21540、TI 建议在 DT 引脚上放置一个大于 2nf 的电容、PCN 之后的器件或 UCC21550、我们建议电容< 1nf。

现在、在客户 BOM 中的第二个源是 NSI6602、建议您在其中放置一个盖>2nf。

如果本站设备能够承受>2nf?  在 DT 引脚的设计上、PCN 之后和 PCN 之前的设计有何区别?  

此上限的剂量对该功能有何影响?

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  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Harry:

    在 PCN 之前的器件和 PCN 之后的器件之间、DT 引脚的噪声稳健性没有变化。

    这意味着 PCN 之前材料中使用的任何 DT 元件如果没有发现任何问题、也不会因 PCN 之后材料而出现任何问题。

    我们的设计团队发现、理想的 DT 电容值为 1nF 或更低、这就是数据表中更改此值的原因。

    此致、

    Hiroki