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[参考译文] CSD18510Q5B:解除 SOA 的束缚

Guru**** 2589245 points
Other Parts Discussed in Thread: LM74910H-Q1

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1578169/csd18510q5b-undrestanding-the-soa

器件型号:CSD18510Q5B
Thread 中讨论的其他器件:LM74910H-Q1

您好、

似乎我 对 SOA 的解梦有问题。 我正在为 ORing IC (LM74910H-Q1) 寻找 MOSFET。  

假设:6A、Vmax=34V、VGS =10V、@Ω 100°C:Rds-on = 1.45*0.79mOhm=1.1m Ω

我的选择流程是:  

1- VDS = 6A*Rds-on = 6A*1.1m Ω= 6.6mV

2 — 查看数据表的图 10。 将 Rds-on 限制线(灰色)扩展到 VDS = 7mV ->它可以在 7mV 漏源电压下处理约 4A 持续电流。  

image.png

我的方法是错的吗? 考虑到 1.1m Ω、MOSFET 的功率损耗约为 40mW (1.1m Ω* 6A^2)、这不是问题。 我是否认为计算/选择的 VDS 有误?

 

BR Toktam

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Toktam、

    感谢您关注 TI FET。 当 FET 在线性模式下运行时、SOA 主要是一个问题、在此模式下、当有电流流过器件时、器件两端存在电压。 在 OR-ing 应用中、这通常在导通和关断时发生。 当 FET 导通且 RDS (on) 非常低时、SOA 不是什么问题。 在这种情况下、功率耗散是主要问题。 您需要查看 OR-ing 控制器的导通和关断时间以确保它们处于 FET 的 SOA 范围内。 我在下面提供了两个链接。 第一部分说明了 TI 如何测试和 SOA 规格、第二部分提供了有关在设计中使用 SOA 图的指导。 如果您有任何问题、请告诉我。

    https://www.ti.com/lit/pdf/SSZTCR5

    https://www.ti.com/lit/pdf/SLUAAO2

    此致、

    约翰·华莱士

    TI FET 应用