[参考译文] CSD19538Q3A：在限流应用中使用此 MOSFET 时

您好、Mohamed、

感谢您关注 TI FET。 让我们确保我们同意下面详述的术语。 在线性区域中、FET 导通（增强）、对于给定的 Vgs 值、导通电阻恒定。 在饱和区域、FET 以线性模式运行、两端有电压、流经电流。 对于 CSD19538Q3A、只要 Vgs ≥6V、导通电阻就会是恒定的、小于数据表中指定的最大值。 无需调整 Vgs、尽管增大 Vgs（高达 10V）会降低导通电阻和导通（I²R Ω）损耗。 如数据表第 1 页的 RDS (on) 与 Vgs 之间的关系图所示、当 Vgs < 6V 时、RDS (on) 呈指数级增长。 当 Vgs > 10V 时、RDS (on) 相对平坦。

要在电流超过阈值时调节电流、您需要使用闭环反馈系统来检测电流、将其与基准进行比较并调整 Vgs 以实现恒定电流。 这需要额外的外部电路。 您还可以考虑使用高侧开关控制器或热插拔控制器、其中通常包含在 FET 导通时限制浪涌期间电流并提供过流保护的功能。 希望这对您有所帮助。 如果您有任何其他问题、请告诉我。

• 线性区域：Vds << Vgs - Vth
• 饱和区域：Vds > Vgs - Vth

此致、

约翰·华莱士

TI FET 应用

尊敬的 Mohamed：

再次感谢您关注 TI FET。 数据表中指定的阈值电压是指 FET 刚刚开始导通并进行测试、ID = 250μA。 其中 Rds (on) 被指定并保证的 VGS 最小值为 6V。 数据表第 1 页上的 Rds (on) 与 VGS 间的关系曲线显示、当 VGS 值介于 6V 和阈值之间时、导通电阻呈指数级增长。 在电流小于其限值的正常运行期间、FET 应在 VGS ≥6V 的情况下完全导通。 这将最大限度地减小 FET 中的导通损耗 (I²R)。 当电流超过限值时、VGS 将向下调节至< 6V 以调节恒定电流。 在此模式下、FET 的运行方式与白色阴影区域中的可变电阻器类似、通过 VGS 调整上下移动。 虽然 VDS 会对漏极电流产生一定的影响、但 VGS 是调节漏极电流的主要控制机制。 检测 VDS 用于防止出现过压/过功率情况。这就是热插拔控制器的典型工作方式。 如果您有其他问题、请告诉我。  

谢谢、

John

您好、Mohamed、

跟进以查看您的问题是否已解决。 请告诉我。

谢谢、

John