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[参考译文] TPS54531:有关减少旁路电容器数量的问题

Guru**** 2594890 points


请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1579191/tps54531-question-about-reducing-number-of-bypass-capacitors

器件型号:TPS54531


尊敬的 TI 支持部门:

我目前正在使用 TPS54531DDAR 来设计电路。
在数据表的“9.2 典型应用“部分中、多个旁路电容器(例如 C1、C2、C3)在 VIN 输入端并联连接。

为了降低 BOM 成本、我想介绍一下 减少旁路电容器的数量 、而 保持总电容不变 (例如,从 3 × 4.7 µF 更改为 1 ×<xmt-block1> 10 µF</xmt-block>)  。 10 µF。

请提供有关的建议 电容器数量的影响 具体来说是关于器件性能、稳定性还是噪声特性?

此外、如果这种改变是可以接受的、我们是否应该注意以下几点 元件选择、ESR、布局 等?

非常感谢您的支持。

此致、

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    该特定器件的指南规定、只要 10uF 满足电容器的所有要求(即电压和电流纹波)、就建议使用。 我会在您的设计中提供焊盘、但保留为 DNP。 尝试使用 1 x 10uF、然后查看设计是否可靠。 我知道会受到影响的一点是等效的 ESR。 您实际上是将 3 条并联电流路径减少到 1、因此电容上的电阻将大于 3 x 47uF。

    ESR 在该公式中发挥作用。 只要不高于 PVIN 的绝对最大值或低于 UVLO 阈值、就应该没问题。  
    我建议您将 10nF 电容器保持在靠近输入端的位置、以便对高频进行滤波。

    谢谢、
    Caleb