主题中讨论的其他器件:UCC21550、 UCC21551、UCC21530 、UCC21520、 UCC21231
尊敬的 TI 工程师:
您好、我的应用规格如下:
-
工作电压:900 V
-
开关频率:100–150 kHz
-
器件:1200V SiC MOSFET
-
拓扑:半桥同步整流
-
控制器:TMS320F
为了确保有足够的栅极驱动电流、我计划使用两个 UCC5350MC 且每个栅极驱动器具有单独隔离式电源的器件。
我想定义一个合适的 击穿风险 可防止击穿。
DSP 固件将会提供一定的死区时间裕度、
但我想补充一点 硬件级测量 可进一步降低击穿风险。
为此、我正在考虑 交叉连接两个 PWM 信号 连接到 IN+和 IN-引脚 UCC5350MC 的一部分(即高侧驱动器上的 PWM_A 连接到 IN+、将 PWM_B 连接到 IN–,而在低侧驱动器上则相反)。
但是、我在您的数据表或应用手册中找不到任何提及此交叉连接方法的地方。
问题 1:
是否可以将这种交叉连接方法用作额外的硬件措施来防止击穿(在 DSP 固件死区时间控制之上)?
问题 2:
如果是、我是否应该注意任何潜在的副作用或设计注意事项?
问题 3:
在此配置中、是否有任何其他推荐的方法来增强击穿保护?
提前感谢您的支持。
此致、
Heeseo Lee