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[参考译文] UCC5350:将 UCC5350MC 与 PWM 交叉连接一起使用半桥驱动。

Guru**** 2595770 points
Other Parts Discussed in Thread: UCC21530, UCC21520, UCC21550, UCC21551, UCC21231

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1578355/ucc5350-using-ucc5350mc-with-pwm-cross-connection-for-half-bridge-drive

部件号:UCC5350
主题中讨论的其他器件:UCC21550UCC21551、UCC21530 、UCC21520、 UCC21231

尊敬的 TI 工程师:

您好、我的应用规格如下:

  1. 工作电压:900 V

  2. 开关频率:100–150 kHz

  3. 器件:1200V SiC MOSFET

  4. 拓扑:半桥同步整流

  5. 控制器:TMS320F

为了确保有足够的栅极驱动电流、我计划使用两个 UCC5350MC 且每个栅极驱动器具有单独隔离式电源的器件。
我想定义一个合适的 击穿风险 可防止击穿。
DSP 固件将会提供一定的死区时间裕度、
但我想补充一点 硬件级测量 可进一步降低击穿风险。

为此、我正在考虑 交叉连接两个 PWM 信号 连接到 IN+和 IN-引脚 UCC5350MC 的一部分(即高侧驱动器上的 PWM_A 连接到 IN+、将 PWM_B 连接到 IN–,而在低侧驱动器上则相反)。
但是、我在您的数据表或应用手册中找不到任何提及此交叉连接方法的地方。

问题 1:
是否可以将这种交叉连接方法用作额外的硬件措施来防止击穿(在 DSP 固件死区时间控制之上)?

问题 2:
如果是、我是否应该注意任何潜在的副作用或设计注意事项?

问题 3:
在此配置中、是否有任何其他推荐的方法来增强击穿保护?

提前感谢您的支持。

此致、
Heeseo Lee

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Heeseo:

    首先、如果您尚未查看我们包含死区时间功能的双通道隔离式栅极驱动器、请随时查看。 其中包括如所示的器件型号 UCC21550/UCC21551 UCC21520/UCC21530  (以及  UCC21231 (如需较小的封装尺寸)。 这些器件简化了死区时间配置、非常适合您的系统。 但是、如果在中使用米勒钳位功能 UCC5350MC  转换器、那么我们将继续处理两个转换器 UCC5350MC 器件。

    您提到的 IN+和 IN-实现将 允许输出互锁(基于数据表中的表 8-5)  、因此它们不会同时完全高电平、但我相信不会有任何 功能死区时间来防止开关转换期间发生击穿。 换句话说、它可以防止输出同时处于高电平、但不会完全防止击穿、因为栅极驱动器输出的转换状态可能会导致两个 FET 同时导通一小段时间。

    无论您选择、请告诉我哪种设计最适合您 UCC5350MC 或我们的任何双通道隔离式栅极驱动器、我很乐意进一步帮助您进行设计。

    此致、

    Will