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[参考译文] TPS7H5001-SP:在 PP 应用中使用 TPS7H5001-SP 生成+ve&-ve 输出电压

Guru**** 2603155 points
Other Parts Discussed in Thread: TPS7H5001-SP

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1577980/tps7h5001-sp-using-tps7h5001-sp-to-generate-ve--ve-output-voltages-in-a-pp-application

器件型号:TPS7H5001-SP


您好、  
对于在推挽式转换器中使用 TPS7H5001-SP、我有一些问题:  
1) 数据表中的图 9-1 中、SR GaN FET 是相对于 GND 驱动的、以避免在 GaN 驱动器中使用自举效应?  
2) 这将导致从 LC/LC 滤波器后的变压器 CT 输出,正确?  
通常、变压器的两个端子应通过开关、其输出端连接到 LC 滤波器、其中输出端将 CT 用作 GND。
3) 如果我们需要添加另一个 SEC 绕组,产生明显相同的电压,但带有负号,那么其他绕组原理看起来应该是什么样子?

谢谢!  
Mohamed

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    尊敬的 Mohammed:

    在 TPS7H5001-SP 数据表的图 9-1 中、您是正确的。 SR FET 放置在相对于 GND 驱动它们的位置、并避免进行自举。 这种放置也会导致从变压器次级的中心抽头获取 VOUT。

    要向推挽的输出添加负电压、可以执行与以下原理图类似的操作:

    原理图取自 本文档 第 4 页。 虽然它未显示 TPS7H5001-SP、但该拓扑适用。 使用此方法确实意味着 VOUT 不能再位于次级的中心抽头上、因此需要考虑驱动 SR FET(如果使用了同步整流)  

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    尊敬的 Andy:  
    感谢您的答复! SR 对于我的设计至关重要:
    1) 为了避免使用自举效应,我们可以将第 9-1 页中的 Sch 还原为使用单独的绕组产生负电压吗?
    例如、使用不同的绕组极性、将 GND 分配到不同点可避免使用自举产生的影响的任何解决方案。

     如果我们使用 SR 进行此设计并设法调整自举效应、
    2.1) 输出滤波器连接在哪里?  
    2.2) HS PRI MOSFET 将与中间的两个二极管(未来的 MOSFET )一起导通,而 LS PRI MOSFET 将与顶部和底部的两个二极管一起导通?  
    2.3) 我认为、除了遵循栅极驱动器数据表并再次提出问题之外、您没有任何其他支持材料可以执行该操作、对吗?  

    谢谢!  
    Mohamed

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    尊敬的 Mohamed:

    理论上、可以设计避免自举、使用 SR 并产生正负电源轨。 这样的转换器将使用 4 个 SR FET 和 4 个次级绕组、这使得变压器变得复杂并可能难以制造。 此外、两个 SR FET 的源极需要连接到负电源轨、这将给驱动它们带来一些复杂性、但将避免自举。

    尽管任何从单个控制器产生两个电压轨的设计都会导致其中一个电压轨受到稳压、或者最好的情况是稳压效果非常差。 因此、如果精度是首要考虑因素、那么我强烈建议简单地使用两个单独的转换器。

    对于上述采用四个二极管的设计、两个外部二极管将在 D1 的导通时间内导通、而两个内部二极管将在 D2 的导通时间内导通。 如果采用 FET 而非二极管来实现、这种设计绝对需要自举来驱动 FET 栅极。

    谢谢、

    Andy

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    尊敬的 Andy:  
    感谢您的澄清、
    1) 您是否有任何关于如何使用 TPS7H6003 驱动这 4 个 FET 的入门材料?

    2) 因此,在效率很重要的情况下(( SR 是必须的),我们需要后置稳压器来实现一个非常小的纹波 (5mmVpp ) 这意味着,产生两个不同的正 SEC 电压而不进行自举将会比产生如上所示的正负电压更容易(( SR 驱动,磁复杂性)?


    3) 如果我们把讨论转移到使用 SR 的反激并产生正负 SEC 电压,它会更简单吗?  
    不使用自举和易于制造的磁性元件是否可能?



    谢谢!  
    Mohamed

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    尊敬的 Mohamed:

    有关 TPS7H6003 的重要资源包括 器件数据表 EVM 用户指南

    我认为、产生两个不同的正电压(FET 上没有自举)比产生正电压和负电压(无自举)要容易得多。

    转向反激式拓扑应该会容易得多。 应该使用单个初级绕组和两个次级绕组以及两个 SR FET 来产生正电压和负电压。 同样、只有一个输出可以连接到控制器反馈、因此另一个输出只能松散调节。

    谢谢、

    Andy

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    尊敬的 Andy:  
    下面您可以看到、此反激式拓扑的顶部原理图是产生+ve 电压、如 TI 材料中所示、下面是负电源轨、我无法弄清楚负电源轨的连接方式。我知道二极管应该反转、因为导通方式与此相反、但 MOSFET 应该反转、如下所示? 这意味着电源将具有负电压、栅极驱动器将如何驱动它。我在数据表或 EVM 中找不到任何有关它的信息  
    LC 滤波器如何保持这样的状态?

    谢谢!  
    Mohamed


      

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    尊敬的 Mohamed:

    负电源轨的 SR VOUT 需要位于变压器的另一侧(与输出同一侧)、其中源极连接到-FET。

    驱动此 FET 需要栅极驱动器使用- VOUT 作为其 GND 基准、并使用 GND 作为其“VIN"。“。 这种配置应在栅极驱动器上保持正电压、并允许其输出以 FET 源极为正确基准的栅极驱动信号。

    关于输出滤波器、在反激式转换器中、变压器输出应直接连接到 COUT、中间没有电感器。 可以在初级输出电容之后添加次级 LC 滤波器、但必须确保没有电感器直接连接到变压器输出。 这同样适用于负电源轨。

    谢谢、

    Andy

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    尊敬的 Andy:  
    我知道使用电感器滤波器时、应先放置输出滤波器的 C 和 L、然后放置+ve 和-ve 轨的反激式输出的 Cout。  
    但我没有完全得到-ve 轨 SR FET 的这一部分、是否应该像下面这样?  
    这是否意味着我们不能对+ve 和-ve 电源轨使用相同的栅极驱动器?
    是否需要两个栅极驱动器、或者我们可以使用 SRA 和 SRB(做一些调整)来驱动两个 SR FET?  

    谢谢!  
    Mohamed



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    尊敬的 Mohamed:

    连接如下所示:

    对于这种设置、您需要两个 SR 栅极驱动器、并且两个 SR FET 将同时驱动导通、因为反激式仅在初级侧 FET 关断期间将能量传递到输出。

    我可以通过与您的 E2E 账户关联的电子邮件与您联系吗? 我认为此主题与您的其他有效主题可能超出了原始 E2E 帖子的范围。

    谢谢、

    Andy

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    尊敬的 Andy:  
    是的、没问题! 很抱歉这个漂移。  

    BR、
    Mohamed

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    尊敬的 Mohamed:

    谢谢、我们很快会通过电子邮件与您联系。

    谢谢、

    Andy