This thread has been locked.

If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.

[参考译文] LM5108:自举电容器两端的电压上升

Guru**** 2606725 points


请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1581517/lm5108-voltage-rise-across-bootstrap-capacitor

器件型号:LM5108


应用是用于 2W 应用的 48V 三相逆变器系统。 当开关 HS FET 且相电流超过 80A 时、自举电容器两端的电压会随着时间的推移而上升。 在第一次运行中,它未被检测到,并导致栅极驱动器损坏。 如果我们将 10K 电阻与电容并联、则电压上升极小。 此外、当在 HO 和 HS 引脚之间安装 TVS 二极管时、也获得了类似的结果。 有任何具体原因? 我认为这是由于漏极和栅极引脚之间的寄生电容造成的。 您能否对此提供一些更深入的了解、以便我们可以在下一个修订版中避免此问题? 我包含了原理图片段、以供您参考。  

image.png

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Binil:

    自举电容器上的上升称为自举过充。  自举过充是 HS 引脚上的下冲导致的。 当存在 HS 下冲时、 电容器上的电压为 VDD (-HS)、这 可能导致 HB-HS 之间出现过压。 它还可以为电容器充电至超过 VDD 值、从而使 HB-HS 高于 VDD 电压。  

    HS 节点上的下冲是由布局中的寄生电感引起的。 当存在非常快的 di/dt 时、这会在 HS 上导致较大的负电压瞬变。 我建议尽量缩短高侧源极和低侧漏极之间的距离。 此外、我还建议尽可能缩短低侧电源轨与电源接地轨之间的距离。 这将限制布局电感、并有助于限制负开关节点瞬态。  

    如 有必要、可以使用 HB 和 HS 之间的齐纳二极管来缓解该问题、该二极管的额定电压与器件的绝对最大规格(在本例中为 20V)相同

    我们提供了一份相关的应用手册、该手册主要介绍 GaN FET 应用、因此本手册中的信息并不直接适用于您的应用。 您可以在此处阅读有关此影响的更多信息: 在 GaN 半桥电路中实现自举过充预防

    此致、

    Amy