[参考译文] LM51772：原理图审阅/器件不供电

您好、Edgar、

I2C 编程可以获得的最大电压为 48V。 如果您想提高输出电压、我认为 LM51770 器件非常适合您。

顺便说一下、您能以不同的方式分享原理图吗？ 这不是很清楚,所以我很难读它。

此致、
Brigitte

在该原理图中、未组装 L8、C125、C86、C82、R118、C36、C35、R57。

关于 55V 输出、我们在开始设计之前在本论坛上询问过、Stefan 回答了这一点是可行的   

“  

您好、Edgar、

此电容器的额定电压仅为 50V — 因此将其替换为 100V 类型（例如 (GCJ188R72A104KA01D) 后、您应该可以承受高达 55V 的输出电压。“

感谢您的帮助

尊敬的 Brigitte：  

我们将在接下来的几天尝试。 不过、我们仍然需要将 I2C 与该器件配合使用、这似乎无法正常工作？ 您是否有时间查看原理图并查看是否有异常？  

谢谢、

Edgar

您好、Edgar、

您的 I2C 引脚上是否有上拉电阻器？ 您能否检查当您将 I2C 置于待机状态且 EN 约为 1V 时器件是否会对其做出反应？

以下是对原理图的注释：
- 更换 L5 与 0 欧姆电阻器,以检查此滤波器是否导致问题。
-当您增加 SS 引脚上的电容时,您能检查问题是否消失吗? 我想知道您是否在 SS 引脚上仅设 20nF、直接加入 SCP。
-感应电阻器非常小,可满足您的要求。 请注意、电流检测信号是一个敏感信号、因此在此处使用更大的电阻器可能会有所帮助。
-平均电流检测信号需要以及一个滤波器 (2 Rs, 1C )。 此外、电阻器应放置在输出电容器的中间。 可能暂时禁用此功能可能有助于启动器件。
-补偿平均电流限制也可能是一个问题。

此致、
Brigitte

尊敬的 TI 团队：Brigitte：  

我们一直在调查我们的董事会几天,我来这里寻求帮助,因为它似乎有什么错误,我们不设法得到它是什么.
我们一直在坚持使用 EVM 设计、并将几乎所有参数都更改为与 EVM 上相同、尽管电源器件与我们的器件保持相同（不同的电感器，不同的 MOSFET、电容器...）

我们一直在调查所有组件 (SS、ILIMCOMP、COMP、CH1、CH2 ...)

我们已经通过更改输出电容器和改变主电感器来调查稳定性问题  


主要问题描述
问题仍然是一样的:

在启动或运行时、电感器中的电流变为高电平、从而触发电流限制。 然后、MOSFET CH2 和 CH4 (LO1 和 LO2) 导通一段时间、通过自循环并重新启动来对电感器放电。

我们已经在许多条件下进行了测试、我们确实意识到了一种关于 MOSFET 控制的奇怪行为。

该芯片以降压模式自动控制 H01 和 L01、但同时打开 L01 MOSFET。 请参阅随附的图片。 此配置无法正常工作、只会导致电感器中出现过流、这正是我们观察到的情况
这怎么可能发生? 在降压模式下、LO2 同时启动的根本原因是什么？  

OPEN LOOP

我们一直在尝试开环、移除电感器并尝试修改输出电压、看看 MOSFET 控制和 COMP 会发生什么情况。


当输入端具有电压命令时、假设输出电压为 12V、输入电压为 17V in^Ω。 我们观察到降压桥臂正在运行（但 LO2 已激活... 不是 HO2)=>不存在。
当施加高于 12V 的输出电压时、LO2 和 L01 被激活、H01 和 HO2 仍然保持正常。


当电压命令高于输入时、假设输出电压为 30V、输入电压为 17V in^Ω。 我们观察到降压桥臂正在运行（但 LO2 已激活... 不是 HO2)=>不存在。 为什么助力腿不在运转？ （即使施加略低于 30V 的电压、升压桥臂不会运行、也是运行内部过流的相同 BUCK + L02 配置）
当施加高于 30V 的输出电压时、LO2 和 L01 被激活、H01 和 HO2 仍然保持正常状态。

我们检查了 COMP 行为、结果似乎正常、当输出设为低电平时为 0.75V、当输出设为高电平时为 1.25V。
请查看附图。 绿色是 L02,蓝色是降压腿,粉色是 HO2,你会看到它是以一种方式控制.（当它进入过流环路时,它会等待 4ms 再启动）..

您在前面的消息中看到了我们的原理图、我们经过了几次、也通过了 PCB、没有遇到任何重大问题  
我们只在一个点插入了 AGND 和 PGND、这可能是问题吗？  

感谢您的帮助、
 
Edgar

您好、Edgar、

请让我总结一下当前状态、确保我理解正确。

请确认以下各点、如果错误、请予以纠正：

-功率级在 17V 输入电压和高达 30V 输出电压下工作正常

-输出电压现在通过 I2C 设置,但稍后应通过其他选项设置,以达到 55V（例如 ATRK ）

-输出电压低于 30V 您也可以消耗预期的最大电流 1A

-您不能得到任何超过 33V 的电压

-您的原理图显示了 070N10NS 作为 MOSFET 的零件号。 这是一个   BSC070N10NS3。
  注意：该器件的米勒平坦区为~ 4.3V、因此不是 LM51772 所需的逻辑电平 MOSFET

- quickstart calc 显示了一个 1000uF 的输入电容器 — 你可以确认,因为这没有显示在原理图中

-从原理图也可以看出,您配置了通过 I2C 和 DAC 更改平均电流限制,但从您设置了 ISET 的寄存器（通过 RILIM 设置的固定电流限制）-请确认您使用的是哪种电流限制方法。

- 对于第一次调试,我建议通过将 I2C MFR_SPECIFIC_D0 寄存器位 4 设置为 0 将其关闭
 请告诉我、这是否会改变所看到的行为

-一些元件被放置作为备用组件（例如在 MODE 引脚上拉和拉低。 请说明哪些部件已组装、哪些部件未组装。

其他项目：

-您可以提供一些示波器图,显示一些开关周期,也~ 20ms 以下信号: （当尝试获得 35V 的输出电压

• SW1/SW2/VIN/VIN VOUT     
• SS/COMP/VCC2/VIN  
• 工业 电流/ VOUT / VIN  （如果可以测量电感器电流）

-最好是有一个审查的布局 — 你也可以分享这一点-特别是功率级和 CSA/CSB 信号的路由。
（您说这已经过审核，但我在此主题中找不到）

此致、

 Stefan

尊敬的 Stefan：  

是否可以通过电子邮件私下向您发送文件 ?

谢谢、

Edgar  

您好、Edgar、

如果您将鼠标悬停在我的姓名上、您可以选择发送私人消息。

还请在此处放一个注释、以便我或同事知道有信息通过私人消息发送。

此致、

 Stefan

您好、Edgar、

我认为您看到的问题是由布局引起的。

在功率级中、一侧具有高 di/dt 和 dV/dt 的信号、另一侧具有敏感模拟测量信号、用于控制功率级。

因此布线和屏蔽对于功率级至关重要。

在您的布局中，您要在控制器周围路由栅极信号 — 最好将控制器旋转 180 度、使栅极信号的引脚更靠近 MPFET。  

另外、还要考虑到 MOSFET 之间的导线正在形成 — 该值应尽可能小，但您需要占用一些面积。 这会增加电感和辐射。

最关键的 一点是、我认为这是该设计中的主要问题是 CSA/CSB 信号的布线。 这应该通过开尔文连接来实现、这是可以的、但长度也非常大、与其他信号并联很长的距离布线。

另请参阅我的布局审核检查清单：

布局（仅供参考）：

请查看下面我的审核列表和加粗标记的行项目、这些项目应再次检查

• 降压侧环路：输入电容器以及高侧和低侧 MOSFET
• 升压侧环路：输出电容器以及高侧和低侧 MOSFET
• 与 CSA/CSB 检测电阻之间的开尔文连接
  将滤波器靠近 LM51772 放置
• CSA 和 CSB 被 SW1 或其他静态信号包围
• 与 ISNS+/-检测电阻之间的开尔文连接（如果不使用，则短接至 GND）
• HO1/SW1 的小电流环路（SWx 和 HOx 彼此顶层布线）
• HO2/SW2 的小电流环路（SWx 和 HOx 相互布置）
• 保持 HBx/SWx 自举电容环路短路
• LOx 布置在 PGND 顶部（或下方）、以尽可能减小栅极环路电感
• 输出电容器之后或之间的反馈连接
• 靠近引脚的 VCC 电容器  
• 使用的 AGND 接地区域/平面（所有基于 AGND 的元件都放置并连接到该区域）
• AGND 和 PGND 连接在散热焊盘上

如需布局指南和布局、请先查看此应用报告： https://www.ti.com/lit/pdf/slvafj3

此致、

 Stefan

尊敬的 Stefan：

我们同意在董事会的生根方面有一些改善。 我们将继续感谢您的反馈！  

但是、如何解释右下角 (LO2) MOSFET 的行为？
在我看来, CSA CSB 信号是非常好的工作:
LO2 MOSFET 虽然不应该被激活、但会增加电感器中的电流并导致电感器电流比较器三角。  
您认为生根可以解决此问题/场景吗？

谢谢、

Edgar