[参考译文] BQ25758：与具有集成式驱动器的 GaN FET 兼容

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Other Parts Discussed in Thread: LMG2100R044, BQ25758

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1583561/bq25758-compatibility-with-gan-fets-with-integrated-drivers

器件型号：BQ25758
主题中讨论的其他器件：LMG2100R044、

BQ25758 无法像 LMG2100R044 一样驱动 GaN FET 是否有任何原因？

在另一个论坛主题中、有人遇到了由于高栅极漏电流而无法使用 GaN FET 的问题。但是、如果自举引脚的供电方式与栅极驱动引脚的电压为 5V 相同、LMG2100R044 是否可由 BQ25758 驱动、或者这是否扰乱了 BQ25758 为了保持转换器稳定必须执行的测量？

3 个月前

0 admin 3 个月前

TI__Guru**** 2614115 points

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我做了更多研究、使用由相反电源轨供电的自举辅助 LDO 时、尽管栅极放电电流较高、LMG2100R044 仍能够以 100%的占空比保持高 FET 导通。例如、在降压模式下、升压桥臂无法维持导通、因为自举电容器将无法充电。然后、LDO 可以从电源输入获取电源电压并对升压桥臂的自举电容器进行偏置。 LDO 的 GND 将连接到升压桥臂开关节点。

我在这些热性能方面是否正确？BQ25758 是否会有死区时间控制或 FET 时序等其他问题？

0 admin 3 个月前

TI__Guru**** 2614115 points

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您好 Sybren、

我不推荐这家酒店。我认为死区时间控制和 FET 时序会导致问题。此外、SW 节点电压的压降可能超过 GND 以下的 0.7V 体二极管压降、有时会超出这些引脚上的器件绝对最大额定值。

此致、
Michael

0 admin 3 个月前

TI__Guru**** 2614115 points

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您好、Michael：

会发生哪些具体的时序问题以及导致这些问题的原因是什么？

LMG2100R044 允许的反向电压也为–5V、因此 GND 与 SW 节点之间的二极管能否防止 GaN FET 在时序问题时超过最大额定值？或者、在运行期间、SW 节点是否持续超过 0V？

此致、Sybren

0 admin 3 个月前

TI__Guru**** 2614115 points

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您好 Sybren、

如果死区时间不够短、根据我的理解、GaN FET 的效率优势不会那么普遍。我认为、在 GND 和 SW 之间添加二极管有助于解决效率和最大额定值问题。

如果您进行该调整并确保 BTST 电容器位于隔离式电源上、我认为 BQ25758 可以与 GaN FET 配合使用。

此致、
Michael

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