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[参考译文] BQ40Z50:使用计算出的 EDV 值、完全放电 isn't 达到 EDV2

Guru**** 2614265 points
Other Parts Discussed in Thread: BQ40Z50

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1573707/bq4050-with-computed-edv-values-full-discharge-isn-t-reaching-edv2

产品编号:BQ40Z50


工具/软件:

您好、

我正在寻找有关 使用动态计算的 EDV 值设置 BQ40Z50 的一些建议、

我认为它在固定 EDV 值下的效果不错。 此后、我在不同的温度和速率下完成了 6 个 GPC 周期、提交了数据并收到了其中包含 GPC 值的报告。  

但是、由于放入报告中的参数并将 EDV_CMP(CEDV 位)设置为高电平、因此我的电池似乎没有进行合格的放电。 查看日志、它达到完全放电甚至无需点击 EDV2、永远不会介意 EDV1 或 EDV0。 当电池完全放电时、RSOC 仍处于 7%。 学习的完全充电容量尚未更新。 (I 的放电速率与 GPC 周期中使用的高速率相同)

为什么它不会达到 EDV2? (或 EDV1 或 EDV0)

有固定的 EDV0 会有帮助吗?

我附上了我的 CONFIG 和 GPC 报告

欢迎任何帮助。  

谢谢、

Adrian

e2e.ti.com/.../2620.GPCPackaged_2D00_report.zip

e2e.ti.com/.../FG-Iss2-Rev-E.gg.csv

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    再加上、电池处于环境温度远处于 GPC 周期所用范围的中间。 此外、这种电池现在已经进行了超过 20 次循环、到目前为止还低于原始设计容量  

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    您好:

    此问题已分配、并将在可能的情况下进行审核。

    谢谢您、
    Alan

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    您好 Adrian、

      由于您已经使用该工具进行了计算、因此您是否需要打开 EDV_CMP 位? 如果禁用该位并重试、会发生什么情况?

    -米格尔

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    感谢您的答复。 我可以尝试,虽然我认为它不能解决问题,但. 我认为执行 GPC 周期的整个过程都是为了让您可以设置 EDV_CMP ON、然后获取不同温度等的补偿值?

    我现在已经使用固定 EDV0 尝试了电池。  这一次、最大误差从 100%降至 8%、而不是保持在 100%、但学习到的充满电容量不会更新。 我预计学习的能力 应该开始修正为较低的值。

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    如果我记得没错、FCC 会更新、直到满足几个条件才能获得合格的放电。 有一个特定位可以指示这一点: VDQ

    如果您有此周期的数据日志、是否知道一旦达到 EDV2、该值是否曾经更改为 1?

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    尊敬的 Miguel:

    在放电开始时 、我看到 VDQ 标志已开启。  

    当 EDV_CMP 打开时。 在放电开始时、标记了 VDQ。 放电结束时、VDQ 仍开启、没有 EDV 标志。 最大误差仍为 100。 没有更新。 是否有任何方法可以了解计算 EDV 阈值的级别? 在我看来、它从未达到 EDV2 的任何值。  

    我尝试了 第一种 建议、即 EDV_CMP 关闭以进行比较。 对我来说,它看起来像正常工作(虽然显然没有补偿温度和当前速率). 在放电开始时、VDQ 已开启。 当达到 EDV2 固定水平时,VDQ 关闭并学习容量更新,RSOC 通过跳转进行校正(因为电池容量低)。 最大误差从 100 变为 8。 所有这些看起来都能正常工作。  

    我想我将重复使用 EDV_CMP ON 并使用 Fixed EDV0 进行实验、这个看起来比没有固定值的 EDV_CMP ON 更有前景。

    感谢您的建议。 感谢您的帮助、

    Adrian

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    总结一下、  

    当 EDV_CMP 开启且没有固定 EDV0 时 — 学习容量不更新。 最大误差保持在 100%、RSOC 在其中有跳跃

    当 EDV_CMP 开启且固定 EDV0 时 — 学习容量不更新。  最大误差降至 8%、RSOC 在其中有跳跃

    当 EDV_CMP 关闭时、即使用固定的 EDV 值 — 学习容量会更新。 最大误差降至 8%、RSOC 已跳跃、直至学习的容量变得准确

    最后一个似乎是唯一有效的配置。 但是、如果我理解得当、这不能补偿不同的温度和放电速率。 看看它在不同温度下的不准确程度。 我可以使用它来接受我没有得到补偿值吗?

    是否有任何其他建议可以让 EDV_CMP 配合使用?

    您能否确认我正确输入了 GPC 值?

    谢谢

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    您 是否尝试过 Smoothing Config [SMEN]?

    您系统上的典型负载是多少? 是恒定的还是在低电平和高电平之间切换?

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     到目前为止、我还没有研究平滑处理、因为我想了解容量估算的跳跃程度。 这些测试的典型负载是恒定电流,在我为报告提交的高速率下(即–2.5A )

    我能否确认如何解释 GPC 报告的这一部分?

    由时基故障产生的 CEDV 参数。 如果 EDVV 位被设置为 1、则在写入数据闪存时、EMF 和 EDVR0 必须乘以串行电池数量

    从此论坛中的其他主题来看、EDVV 位实际上 指的是 EDV_Pack。 在我的例子中、我将 EDV_PACK 设置为 0、用于基于电芯的计算。 我一直在假设我不需要操作 EMF 或 EDVR0。 您能否确认正确无误?  

    谢谢

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    我想我有一个答案。 我已重新提交数据、但配置中的 CellTermV 更高、从 2500mV 增加到 2600mV。 然后将新的 GPC 参数放入 BQ

    通过该配置、达到并标记了 EDV2 和 EDV1 电平(但仍然不是 EDV0)

    我将使用 FIXED EDV0 选项。