尊敬的 TI：
我可以看到 LM317AMDT/NOPB 的 National SEMI 和 Texas Instruments 之间的热阻（外壳钳位和环境钳位）差异。
根据 National Semi 数据表、外壳的热阻为 12（°C/W）、结至环境的热阻为 103（°C/W）、但根据 TI 数据表、外壳的热阻为 51.3（顶部）、0.9（底部）（°C/W）、结至环境的热阻为 54（°C/W）。
您能否澄清一下如何针对相同封装 LM317AMDT/NOPB 获得不同的热阻值 (NIA Semi 与 TI)？
此致、
Iyappan R
尊敬的 Iyappan：
感谢您的提问！
虽然芯片尺寸和引线框的变化有时会显著改变热性能、而保持与现有器件等效的直接替代产品、但我认为在这种情况下、这是美国国家半导体时代器件和当前 TI 器件之间的规格差异造成的。
在我们与 E.C.匹配的数据表存档版本中、底部有此表/图表：
TI 的热指标在 JESD51-7 标准板的仿真中计算。 这有 4 层、平面为 2oz 3 英寸 x 3 英寸、或 9in^2。 从数据表中的实际热性能数据可以看出、 54'C 接近实际 θJA 线的渐近限值、而旧的 103'C 热指标与表顶部的最小铜面积相同。
在这种情况下、有理由解释一下 National Semiconductor 在低热性能电路板和小铜电路板之间测量值的差异、而当前的 TI 指标是针对铜面积非常大的电路板计算的、数量的巨大变化反映了不同铜区域之间非常真实的热性能差异。
R θ θJA 是系统级指标、最终取决于电路板设计。 R θ θJC 依赖于并行热传导路径的巨大变化。
此致、
Gregory Thompson
