[参考译文] BQ25792：基于 USB-PD-CHG-EVM –01 评估板的设计中 BQ25792 存在问题

您好、Nicolas、

在问题 1 上、在未连接电池且启用充电的情况下、充电器仅使用 BAT 引脚电容器重复完成一个充电周期、过冲略微导致 OVP 故障、导致转换器关断 30ms。  如果 SYS 上有负载、这会导致 SYS 崩溃。  BAT 电容器放电至 VRCH、并重复该周期。 为了防止这种情况发生、您可以在未连接电池时通过 CE 引脚或/CE 位禁用充电。  或者、您可以在 BAT 引脚上添加~200uF（这可以防止 OVP）、但 STAT 引脚仍会以较慢的频率闪烁。 更改为引脚 2 引脚和 reg2reg、BQ25798 可防止 SYS 崩溃。  

在问题 2 上、充电器封装通常会变得过热而无法提供 5A 电流并进入热调节、但应该能够达到 4-4.5A 而不出现问题、尤其是在 Fsw=750kHz 且使用 2.2uH 电感器时。   充电电流可通过输入电流限制 (IINDPM)、输入电压限制 (VINDPM) 或热调节 (TREG) 来降低。 REG0x1B-REG0x27 中的状态和 FAULT 寄存器应报告这些故障（如果存在）。 我怀疑它是钳制 IINDPM 寄存器的 ILIM_HIZ 电阻器。 主机可以设置 EN_ILIM=0 以禁用钳位、但随后必须将 IINDPM 寄存器重写为更高的值。 主机可以读取充电器 ADC 通道、以查看 IBUS 或 VBUS 是否接近其各自的限值。 要检查 TREG、主机可以读取 ADC 内核温度以查看它是否徘徊在接近 125°C 或检查 IC 是否处于高温状态。 此外、TS 功能可以减小充电电流、可能是 TS WARM 或 TS HOT。 故障寄存器也会报告该电压、ADC 可以读取 TS 引脚电压。  

充电器原理图看起来是合理的。   

我很乐意向 USB-C 团队转发、因为我知道他们去年更改为具有更新固件的 TPS25751。

此致、

Jeff

尊敬的 Jeff：

感谢您的详细分析。

相关问题 问题 1 、我同意您的解释和建议的解决方案。 我了解导致 SYS 崩溃的机制。

指定 问题 2 、在手动修改寄存器之前、我首先依靠 EEPROM 配置的功能二进制文件。 我已将 ILIM_HIZ 引脚连接至 REGN（恒定 5V）、但这没有任何变化。 充电器在 53°C 封装温度下非常烫、充电器的 L2 电感器也是如此。

可能是温度调节存在问题。 我有带有 TPS25750D + BQ25798 的 EVM、它大约在 1 年前工作（我已经写了一篇 TI 文章对此进行了介绍）、但我不记得您的 GUI 是哪个版本。 但是、当我今天使用为 TPS25750D + BQ25792 正确配置的二进制文件重新刷写（您没有 BQ25798 选项，但它应该是相同的）时、我在 EVM 上观察到、提供给 VBAT 的电流确实是 4.4A、但在我测量 83°C 封装温度时、最有可能是 BQ 温度每 1 或 2 秒切断一次。

您已修改 GUI 应用程序生成的二进制文件 -似乎现在可接受的温度容差已经降低了您的 GUI 二进制输出。 您能否与我分享 EEPROM 的二进制文件、该二进制文件允许达到我本例中的 TPS25751 + BQ25792 温度限制？ 我现在怀疑、即使使用您的 EVM、借助 GUI、我们也能再获得用于 5A 充电的正确二进制文件。

具有可工作的二进制文件将显著缩短现在的开发时间。

此致、

不适用

更新：尝试设置 0.5A 充电电流会导致 GUI 上测得的 0.1A、此处没有散热问题。

您好、Nicolas、  

您能否共享 PD 和 BQ 之间通信的 I2C 日志？ 您还可以共享.json 文件吗？  

此致、  

Aya Khedr

您好 Aya、

老实说、我特意选择了这款 TI 解决方案、因为您的图形工具 (GUI)  应提供有效配置。

现在、在我看来、您的 GUI 给出的.bin 效果不佳、  在 EVM 板上也是相同的。
由 USBCPD 自定义工具 https://dev.ti.com/gallery/view/USBPD/USBCPD_USBCPD/ver/1.1.1/生成的二进制文件 Application_Customization_Tool 会导致错误的电流输出并对其进行限制。  应该不会出现 原理图问题、因为我很少复制并粘贴您的 EVM（从 Altium 源文件）。

因此：

1. 我不知道如何获取您询问的 I2C 日志、这意味着什么？ 我只有一个 Aardvark 来刷写 EEPROM。
2. 我也不知道您引用哪个特定的.json 文件、因为 USBCPD 自定义工具是一个黑盒、它可以生成二进制文件、而无需向我提供有关组件配置的技术详细信息、因此您应该能够在输入询问的字段后知道您在其中设置了什么配置。
   
   

我期望您的工具能为我提供现成的固件。 如果我应该手动对每个寄存器进行编程、我会选择不同的解决方案。
我确实计划了必须手动处理与 TPS 和 BQ 的 I2C 通信的场景。 如您在原理图中所示、这些线路连接到微控制器。

你建议做什么？  

感谢您的理解。

此致、

不适用

您好、Jeff、

对 BQ25792 进行手动编程后、我现在可以请求该元件提供可能的最大充电电流。

关于问题 2 和热管理、我由于没有提供足够的铜表面积来散热、造成了布线错误。 到达的频率 130°C 处于满电荷状态并自动进入大约 3.3A 的电流限制状态。 但是、我无法将 20cm² μ A 分配给 BQ25792 来在 V2 设计中进行散热。

鉴于此约束、我对提高 4A+充电效率有一些问题：

1. 您建议为转换器使用 750kHz 开关频率和 2.2µH 电感器来提高效率和减少发热 — 这在提高效率方面有多大帮助？

2. 更改与电感器相邻的电容器的值可以提高效率吗？

3. 与 BQ25792 相比、切换到 BQ25798 是否可以提高效率和热性能？

任何其他建议都将不胜感激。

此致、

不适用